SEMICONDUCTOR DETECTOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

To improve the performance of a semiconductor detector.SOLUTION: The present disclosure describes a detector used in critical dimension scanning electron microscopes (CD-SEM) and review SEM systems. In one embodiment, the detector includes a semiconductor structure having a p-n junction and a hole through which a scanning beam is passed to a target. The detector also includes a top electrode (250) (e.g., anode or cathode) for the p-n junction that provides an active area for detecting electrons or electromagnetic radiation (e.g., backscattering from the target). The top electrode has a doped layer (230) and a buried portion (260) beneath the doped layer to reduce a series resistance of the top electrode without changing the active area. In another embodiment, an isolation structure can be formed in the semiconductor structure near sidewalls of the hole to electrically isolate the active area from the sidewalls. A method for forming the buried portion of the top electrode is also described.SELECTED DRAWING: Figure 2C 【課題】半導体検出器の性能を向上させる。【解決手段】本開示には、限界寸法走査電子顕微鏡（ＣＤ－ＳＥＭ）及びレビューＳＥＭシステムにおいて使用される検出器が記載される。一実施形態では、検出器は、ｐｎ接合と、走査ビームをターゲットに通過させる穴とを有する半導体構造を備える。検出器はまた、（例えばターゲットから後方散乱する）電子又は電磁放射を検出するためのアクティブエリアを提供するｐｎ接合のための上部電極（２５０）（例えば、アノード又はカソード）を備える。上部電極は、ドープ層（２３０）と、ドープ層の下にあり、アクティブエリアを変化させることなく上部電極の直列抵抗を減らすための埋め込み部分（２６０）とを有する。別の実施形態では、半導体構造の穴の側壁の近くに分離構造を形成して、アクティブエリアを側壁から電気的に分離することができる。上部電極の埋め込み部分を形成するための方法も記載される。【選択図】 図２Ｃ