MANUFACTURING METHOD OF EPITAXIAL WAFER AND EPITAXIAL WAFER MANUFACTURING DEVICE

To suppress distortion of a wafer in manufacturing an epitaxial wafer through a multi-wafer deposition process.SOLUTION: The present invention relates to a manufacturing method of an epitaxial wafer including cleaning the inside of a chamber 11 after executing a plurality of times an epitaxial wafer manufacturing process of: carrying a wafer W into the chamber 11 of an epitaxial wafer manufacturing device 1; growing an epitaxial film on the wafer W and defining it as an epitaxial wafer; and carrying the epitaxial wafer out of the chamber 11. In the manufacturing method of the epitaxial wafer, the wafer W supported by a susceptor 12 is heated by first heating devices 24 and 25 during the growth of the epitaxial film, and an outer edge of the susceptor 12 is heated by a second heating device 27.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】マルチウェーハデポジションプロセスによるエピタキシャルウェーハの製造において、ウェーハの歪みを抑制する。【解決手段】エピタキシャルウェーハ製造装置１のチャンバ１１内にウェーハＷを搬入し、ウェーハＷ上にエピタキシャル膜を成長させてエピタキシャルウェーハとし、チャンバ１１外にエピタキシャルウェーハを搬出するエピタキシャルウェーハ製造工程を複数回実行した後に、チャンバ１１内をクリーニングするエピタキシャルウェーハの製造方法であって、エピタキシャル膜の成長中に、第一加熱装置２４，２５によりサセプター１２に支持されたウェーハＷを加熱するとともに、サセプター１２の外縁部を第二加熱装置２７により加熱するエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。【選択図】図１