SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

To provide a technique capable of improving uniformity of processing relative to a substrate by enlarging a size of a plasma reactor.SOLUTION: A substrate processing device includes: a substrate holding unit 3; a plurality of guards 7; a plasma reactor 1; a first elevation mechanism 15; and a second elevation mechanism 75. The substrate holding unit 3 holds a substrate W. The plurality of guards 7 has a cylindrical shape of surrounding the substrate holding unit 3 and is concentrically provided. The plasma reactor 1 is provided vertically above the substrate holding unit 3 and extends outward from a peripheral edge of the substrate W in a plan view. The plasma reactor 1 radiates plasma to the substrate W in a state where the plurality of guards 7 is positioned at a lower position where an upper end 711 of an inner peripheral surface of an outermost circumference guard 7A is positioned vertically lower than an upper surface of the substrate W and the plasma reactor 1 is positioned at a plasma processing position close to the substrate W.SELECTED DRAWING: Figure 3 【課題】プラズマリアクタのサイズを拡大して基板に対する処理の均一性を向上できる技術を提供する。【解決手段】基板処理装置は基板保持部３と複数のガード７とプラズマリアクタ１と第１昇降機構１５と第２昇降機構７５とを備える。基板保持部３は基板Ｗを保持する。複数のガード７は、基板保持部３を囲む筒状形状を有し、同心状に設けられる。プラズマリアクタ１は基板保持部３よりも鉛直上方に設けられており、平面視において基板Ｗの周縁よりも外側に広がっている。最外周のガード７Ａの内周面の上端７１１が基板Ｗの上面よりも鉛直下方となる下位置に複数のガード７が位置し、かつ、プラズマリアクタ１が基板Ｗに対して近接したプラズマ処理位置に位置する処理状態で、プラズマリアクタ１は基板Ｗにプラズマを照射する。【選択図】図３