MEMORY DEVICE, MEMORY CONTROLLER, AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME
To provide a memory device, a memory controller, and a memory system including the same.SOLUTION: A memory system includes: a first memory device configured to include a plurality of first memory blocks, each of which is composed of a plurality of first memory cells stacked in a vertical direction t...
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Format: | Patent |
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creator | KO KUIHAN JEONG JAE-YONG KIM BOANG CHENG YUAN ZHAI |
description | To provide a memory device, a memory controller, and a memory system including the same.SOLUTION: A memory system includes: a first memory device configured to include a plurality of first memory blocks, each of which is composed of a plurality of first memory cells stacked in a vertical direction to a board; and a memory controller configured to control a memory operation of the first memory device. The memory controller is configured to select and operate one of different type control methods for each of the plurality of first memory blocks, based on first N/O string information relating to the number of unopened strings (Not-Open strings; hereinafter, N/O strings) contained in each of the plurality of first memory blocks.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】メモリ装置、メモリコントローラ、及びこれらを備えるメモリシステムを提供する。【解決手段】基板と垂直方向に積層されている複数の第1メモリセルでそれぞれ構成されている、複数の第1メモリブロックを備えるように構成された第1メモリ装置と、第1メモリ装置のメモリ動作を制御するように構成されたメモリコントローラと、を備えるメモリシステムであり、メモリコントローラは、複数の第1メモリブロックそれぞれに含まれている非開放ストリング(Not-Open string;以下、N/Oストリング)の数に関する第1のN/Oストリング情報に基づいて、複数の第1メモリブロックそれぞれについて、異種の制御方式のうちいずれか一つを選択して運用するように構成されたことを特徴とする。【選択図】図1 |
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【課題】メモリ装置、メモリコントローラ、及びこれらを備えるメモリシステムを提供する。【解決手段】基板と垂直方向に積層されている複数の第1メモリセルでそれぞれ構成されている、複数の第1メモリブロックを備えるように構成された第1メモリ装置と、第1メモリ装置のメモリ動作を制御するように構成されたメモリコントローラと、を備えるメモリシステムであり、メモリコントローラは、複数の第1メモリブロックそれぞれに含まれている非開放ストリング(Not-Open string;以下、N/Oストリング)の数に関する第1のN/Oストリング情報に基づいて、複数の第1メモリブロックそれぞれについて、異種の制御方式のうちいずれか一つを選択して運用するように構成されたことを特徴とする。【選択図】図1</description><language>eng ; jpn</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CALCULATING ; COMPUTING ; COUNTING ; ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; INFORMATION STORAGE ; PHYSICS ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; STATIC STORES</subject><creationdate>2022</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20220225&DB=EPODOC&CC=JP&NR=2022033015A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25563,76318</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20220225&DB=EPODOC&CC=JP&NR=2022033015A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>KO KUIHAN</creatorcontrib><creatorcontrib>JEONG JAE-YONG</creatorcontrib><creatorcontrib>KIM BOANG</creatorcontrib><creatorcontrib>CHENG YUAN ZHAI</creatorcontrib><title>MEMORY DEVICE, MEMORY CONTROLLER, AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME</title><description>To provide a memory device, a memory controller, and a memory system including the same.SOLUTION: A memory system includes: a first memory device configured to include a plurality of first memory blocks, each of which is composed of a plurality of first memory cells stacked in a vertical direction to a board; and a memory controller configured to control a memory operation of the first memory device. The memory controller is configured to select and operate one of different type control methods for each of the plurality of first memory blocks, based on first N/O string information relating to the number of unopened strings (Not-Open strings; hereinafter, N/O strings) contained in each of the plurality of first memory blocks.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】メモリ装置、メモリコントローラ、及びこれらを備えるメモリシステムを提供する。【解決手段】基板と垂直方向に積層されている複数の第1メモリセルでそれぞれ構成されている、複数の第1メモリブロックを備えるように構成された第1メモリ装置と、第1メモリ装置のメモリ動作を制御するように構成されたメモリコントローラと、を備えるメモリシステムであり、メモリコントローラは、複数の第1メモリブロックそれぞれに含まれている非開放ストリング(Not-Open string;以下、N/Oストリング)の数に関する第1のN/Oストリング情報に基づいて、複数の第1メモリブロックそれぞれについて、異種の制御方式のうちいずれか一つを選択して運用するように構成されたことを特徴とする。【選択図】図1</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CALCULATING</subject><subject>COMPUTING</subject><subject>COUNTING</subject><subject>ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>INFORMATION STORAGE</subject><subject>PHYSICS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>STATIC STORES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2022</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZHDzdfX1D4pUcHEN83R21VGAcp39_UKC_H18XIN0FBz9XGDCwZHBIa6-Cp5-zj6hLp5-7gohHq4KwY6-rjwMrGmJOcWpvFCam0HJzTXE2UM3tSA_PrW4IDE5NS-1JN4rwMjAyMjA2NjA0NTRmChFAADaLJg</recordid><startdate>20220225</startdate><enddate>20220225</enddate><creator>KO KUIHAN</creator><creator>JEONG JAE-YONG</creator><creator>KIM BOANG</creator><creator>CHENG YUAN ZHAI</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20220225</creationdate><title>MEMORY DEVICE, MEMORY CONTROLLER, AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME</title><author>KO KUIHAN ; JEONG JAE-YONG ; KIM BOANG ; CHENG YUAN ZHAI</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_JP2022033015A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; jpn</language><creationdate>2022</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CALCULATING</topic><topic>COMPUTING</topic><topic>COUNTING</topic><topic>ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>INFORMATION STORAGE</topic><topic>PHYSICS</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>STATIC STORES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>KO KUIHAN</creatorcontrib><creatorcontrib>JEONG JAE-YONG</creatorcontrib><creatorcontrib>KIM BOANG</creatorcontrib><creatorcontrib>CHENG YUAN ZHAI</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>KO KUIHAN</au><au>JEONG JAE-YONG</au><au>KIM BOANG</au><au>CHENG YUAN ZHAI</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>MEMORY DEVICE, MEMORY CONTROLLER, AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME</title><date>2022-02-25</date><risdate>2022</risdate><abstract>To provide a memory device, a memory controller, and a memory system including the same.SOLUTION: A memory system includes: a first memory device configured to include a plurality of first memory blocks, each of which is composed of a plurality of first memory cells stacked in a vertical direction to a board; and a memory controller configured to control a memory operation of the first memory device. The memory controller is configured to select and operate one of different type control methods for each of the plurality of first memory blocks, based on first N/O string information relating to the number of unopened strings (Not-Open strings; hereinafter, N/O strings) contained in each of the plurality of first memory blocks.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】メモリ装置、メモリコントローラ、及びこれらを備えるメモリシステムを提供する。【解決手段】基板と垂直方向に積層されている複数の第1メモリセルでそれぞれ構成されている、複数の第1メモリブロックを備えるように構成された第1メモリ装置と、第1メモリ装置のメモリ動作を制御するように構成されたメモリコントローラと、を備えるメモリシステムであり、メモリコントローラは、複数の第1メモリブロックそれぞれに含まれている非開放ストリング(Not-Open string;以下、N/Oストリング)の数に関する第1のN/Oストリング情報に基づいて、複数の第1メモリブロックそれぞれについて、異種の制御方式のうちいずれか一つを選択して運用するように構成されたことを特徴とする。【選択図】図1</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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