MANUFACTURING METHOD OF SOLDER CHIP, SOLDER CHIP AND JUNCTION LAYER EVALUATION DEVICE USING THE SAME

To evaluate the deterioration and lifetime of a junction layer by quantitatively evaluating the junction layer.SOLUTION: On a SiC substrate 106, a thin film heater 117 consisting of Ni-P is formed between a terminal electrode 115a and a terminal electrode 115b, and a temperature probe 116 consisting of Ni-P is formed between a terminal electrode 114a and a terminal electrode 114b. The SiC substrate 106 and a copper plate are connected by sintered Ag paste. Solder chips 136a-136d are mounted in the terminal electrodes 114 and the terminal electrodes 115, and a junction layer is formed in a state where an indium containing layer is formed on a layer opposed with the junction layer. A constant current is supplied from a TM DC power supply device to the thin film heater 117 via the terminal electrodes 115a and 115b. A constant current is supplied from an EM DC power supply device to a current application passage.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】接合層を定量的に評価することにより、接合層の劣化および寿命の評価する。【解決手段】ＳｉＣ基板１０６に、端子電極１１５ａ、端子電極１１５ｂ間にＮｉ−Ｐからなる薄膜ヒーター１１７、端子電極１１４ａ、端子電極１１４ｂ間にＮｉ−Ｐからなる温度プローブ１１６が形成される。ＳｉＣ基板１０６と銅プレートとは焼結Ａｇペーストで接続されている。端子電極および端子電極には半田チップ１３６ａ〜１３６ｄが実装され、接合層と面する層に、インジウムを含有する層が形成された状態で、接合層が形成される。端子電極１１５ａ、１１５ｂを介して、ＴＭ用直流電源装置から定電流が、薄膜ヒーター１１７に供給される。電流印加経路には、ＥＭ用直流電源装置から定電流が供給される。【選択図】図２