ROW REDUNDANCY WITH DISTRIBUTED SECTORS

To provide a technique for a flash memory with row redundancy.SOLUTION: A semiconductor device includes an embedded flash memory. The embedded flash memory includes a memory bank 300 including a plurality of physical sectors 302. Each physical sector 302 includes a plurality of erase sectors 302_0 t...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: URI KOTLICKI, KOBI DANON, ARIEH FELDMAN, YORAM BETSER
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!