COMPOSITION FOR SILICON WAFER POLISHING LIQUID OR COMPOSITION KIT FOR SILICON WAFER POLISHING LIQUID

To provide a composition for a silicon wafer polishing liquid and a composition kit for a silicon wafer polishing liquid, capable of stably reducing surface roughness (haze) and surface defect (LPD) on a polished silicon wafer surface.SOLUTION: A composition for a silicon wafer polishing liquid of the present invention is obtained by mixing a silica particle dispersion containing a silica particle, a basic compound and an aqueous medium and an additive solution containing a water-soluble polymer compound and an aqueous medium. The silica particle dispersion is obtained by keeping a mixed liquid with a pH at 25°C of 9 or more and 11 or less for one day or more at 10°C or above and 80°C or below, the mixed liquid being obtained by mixing the silica particle, the basic compound and the aqueous medium, or the silica particle dispersion has a transmittance of light with a wavelength of 600 nm of 5.0% or more and 30% or less in one of cases where the content of the silica particle thereof is 5 mass% or more and 20 mass% or less.SELECTED DRAWING: None 【課題】本発明は、研磨されたシリコンウェーハ表面の表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）を、安定して低減可能とする、シリコンウェーハ用研磨液組成物及びシリコンウェーハ用研磨液組成物キットを提供する。【解決手段】本発明のシリコンウェーハ用研磨液組成物は、シリカ粒子と塩基性化合物と水系媒体とを含むシリカ粒子分散液と、水溶性高分子化合物と水系媒体とを含む添加剤水溶液とを混合して得たシリコンウェーハ用研磨液組成物であって、前記シリカ粒子分散液は、前記シリカ粒子と前記塩基性化合物と前記水系媒体とを混合して得た２５℃におけるｐＨが９以上１１以下の混合液を１０℃以上８０℃以下に１日間以上保持して得たもの、又は、波長６００ｎｍの光の透過率が、前記シリカ粒子の含有量が５質量％以上２０質量％以下のいずれかの場合において、５.０％以上３０％以下であるものである。【選択図】なし