ETCHING PROCESSING METHOD AND ETCHING DEVICE

To achieve the good balance of the occurrence of a foreign material pollution and highly-accurate control of an etching amount in isotropically dry etching an oxide film.SOLUTION: An etching processing method is arranged so as to etch an oxide film by: a process target surface-modification step of repeating a step set more than once, the step set including a first step of introducing a hydrogen fluoride-containing gas into a process chamber to supply hydrogen fluoride to a surface of the oxide film, a second step of evacuating the process chamber to remove the hydrogen fluoride and a third step of introducing a hydrogen nitride-containing gas into the process chamber to supply a hydrogen nitride to the oxide film surface, thereby forming a compound layer containing nitrogen, hydrogen and fluorine on the film layer surface; and a film-removing step of removing the compound layer formed on the process target film layer surface. The hydrogen fluoride gas and hydrogen nitride gas are prevented from being mixed together, whereby the occurrence of foreign material pollution is suppressed. The etching amount can be controlled by the number of iteration of exposure to the hydrogen fluoride gas and hydrogen nitride gas.SELECTED DRAWING: Figure 5 【課題】酸化膜の等方性ドライエッチングにおいて、異物汚染の発生とエッチング量の高精度の制御とを両立させる。【解決手段】処理室にフッ化水素を含むガスを導入して酸化膜の表面にフッ化水素を供給する第一のステップと、処理室内部を真空排気して前記フッ化水素を取り除く第二のステップと、前記処理室内に窒化水素を含むガスを導入して酸化膜の表面に窒化水素を供給して当該膜層の表面に窒素および水素並びにフッ素を含む化合物の層を形成する第三のステップとを含む複数のステップをステップセットとして複数回繰り返す前記処理対象の表面改質工程と、前記処理対象の膜層の表面に形成された前記化合物の層を取り除く膜除去の工程によって酸化膜をエッチングする。フッ化水素ガスと窒化水素ガスの混合を防止することで異物汚染の発生を抑制するとともに、フッ化水素ガス、窒化水素ガスの照射の繰り返し回数によってエッチング量を制御することができる。【選択図】図５