METHOD FOR PROTECTING LOW-K LAYER

To provide a method for protecting a Low-k layer.SOLUTION: Provided is a process arranged so that a Low-k layer is protected against the etching damage by use of a selectively-formed protection layer produced on the Low-k layer. In an embodiment hereof, the Low-k layer may be a Low-k dielectric layer as utilized in a BEOL process step. In an embodiment, the selectively-formed protection layer can be formed by a selective deposition process arranged so as to selectively form a layer on the Low-k dielectric, but not to form a layer on a conductor layer. The Low-k layer may be protected by use of the selectively-formed protection layer against plasma etching which is utilized to recess a conductor. In this way, a conductor (e.g. metal) in the Low-k dielectric layer can be recessed through a plasma etching process.SELECTED DRAWING: Figure 8 【課題】 Ｌｏｗ−ｋ層を保護する方法を提供する。【解決手段】 Ｌｏｗ−ｋ層上に生じる選択的に形成された保護層の使用によってＬｏｗ−ｋ層がエッチング損傷から保護されるプロセスが提供される。一実施形態で、Ｌｏｗ−ｋ層は、ＢＥＯＬプロセスステップで利用されるＬｏｗ−ｋ誘電体層とすることができる。一実施形態で、選択的に形成された保護層は、層をＬｏｗ−ｋ誘電体上に選択的に形成するが導体層の上に形成しない、選択的堆積プロセスによって形成することができる。次いで、選択的に形成された保護層を利用して、導体をリセスするために利用されるプラズマエッチングからＬｏｗ−ｋ層を保護することができる。このようにして、プラズマ・エッチング・プロセスを介してＬｏｗ−ｋ誘電体層内で導体（例えば金属）をリセスすることができる。【選択図】 図８