WIRING BOARD, SEMICONDUCTOR DEVICE, WIRING BOARD MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

To provide a wiring board capable of inhibiting occurrence of warpage.SOLUTION: A wiring board 20 has: an insulation layer 30 composed of insulating resin containing grass cloth 30G; concavities 30X formed on an undersurface 30B of the insulation layer 30; a wiring layer 31 filled up in the concavities 30X; via wiring 32 which pierces the insulation layer 30 in a thickness direction to be connected with the wiring layer 31; and a wiring structure 23 stacked on a top face 30A of the insulation layer 30. An undersurface 31L of the wiring layer 31 is formed so as to be flush with the undersurface 30B of the insulation layer 30 or so as to dent toward the wiring structure 23 from the undersurface 30B of the insulation layer 30. The glass cloth 30G is eccentrically located in such a manner as to be closer to the wiring structure 23 than the center C1 of the insulation layer 30 in a thickness direction and provided in such a manner as to be located at the center in a thickness direction of a thickness T3 from the undersurface 30B of the insulation layer 30 to a top face of the uppermost layer of the wiring layer 45 in the wiring structure 23.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】反りの発生を抑制できる配線基板を提供する。【解決手段】配線基板２０は、ガラスクロス３０Ｇ入りの絶縁性樹脂からなる絶縁層３０と、絶縁層３０の下面３０Ｂに形成された凹部３０Ｘと、凹部３０Ｘに充填された配線層３１と、絶縁層３０を厚さ方向に貫通して配線層３１と接続されたビア配線３２と、絶縁層３０の上面３０Ａに積層された配線構造２３とを有する。配線層３１の下面３１Ｌは、絶縁層３０の下面３０Ｂと面一になるように、又は絶縁層３０の下面３０Ｂよりも配線構造２３側に凹むように形成されている。ガラスクロス３０Ｇは、絶縁層３０の厚さ方向の中心Ｃ１よりも配線構造２３側に偏在するとともに、絶縁層３０の下面３０Ｂから配線構造２３の最上層の配線層４５の上面までの厚さＴ３における厚さ方向の中心に位置するように設けられている。【選択図】図１