SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent generation of a crack in a layer which covers a semiconductor layer when performing heat treatment on the semiconductor layer.SOLUTION: A manufacturing method of a semiconductor device 100 comprises: a step (P101) of forming on a semiconductor layer 111 consisting mainly of a group III nitride semiconductor, at least part Mt11 of a cap layer Mc1 consisting mainly of a nitride; a step (P103) of ion implanting a p-type impurity into the semiconductor layer 111 where at least the part Mt11 of the cap layer Mc1 is formed; a step (P106) of forming as a surface layer, a block layer Mb1 having a thermal expansion coefficient larger than that of the cap layer Mc1 on the cap layer Mc1; and a step (P107) of heating the semiconductor layer 111 where the block layer Mb1 as the surface layer is formed to activate the p-type impurity.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】半導体層を熱処理する際に、半導体層を覆う層にクラックが入らないようにする。【解決手段】半導体装置１００の製造方法であって、主としてIII族窒化物半導体からなる半導体層１１１の上に、主として窒化物で構成されるキャップ層Ｍｃ１の少なくとも一部Ｍｔ１１を形成する工程（Ｐ１０１）と、前記キャップ層Ｍｃ１の少なくとも一部Ｍｔ１１が形成された半導体層１１１にｐ型不純物をイオン注入する工程（Ｐ１０３）と、表層として、前記キャップ層Ｍｃ１よりも熱膨張係数が大きいブロック層Ｍｂ１を、前記キャップ層Ｍｃ１の上に形成する工程Ｐ１０６と、前記表層としての前記ブロック層Ｍｂ１が形成された半導体層１１１を加熱してｐ型不純物を活性化させる工程（Ｐ１０７）と、を備える。【選択図】図２