PLANARIZATION METHOD FOR SUBSTRATE

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a planarization method for substrates capable of significantly reducing a time required for planarization processing of the surface of a substrate of a high hardness material.SOLUTION: A planarization method for substrates is used, the planarization method including the steps of: forming a metal layer on a surface of a substrate; heating the substrate and reacting the surface of the substrate and the metal layer to form a reaction layer; and polishing from a side of the reaction layer to remove the reaction layer and at the same time to planarize the surface of the substrate. The substrate is preferably a wafer of silicon carbide, gallium nitride, or sapphire, and the metal layer preferably contains at least one selected from the group consisting of Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Al, Sn, Hf, Ta and W.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】高硬度材料の基板の表面の平坦化処理に要する時間を大幅に低減することが可能な基板の平坦化方法を提供する。【解決手段】基板の表面に金属層を形成する工程と、前記基板を加熱し、前記基板の表面と前記金属層とを反応させ、反応層を形成する工程と、前記反応層側から研磨を行い、前記反応層を除去すると同時に前記基板の表面を平坦化する工程と、を含むことを特徴とする基板の平坦化方法を用いる。前記基板が、炭化ケイ素、窒化ガリウム又はサファイアのウェハであることが好ましく、前記金属層が、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ及びＷからなる群から選ばれる少なくとも一つを含むことが好ましい。【選択図】図１