PRODUCTION METHOD OF SILICON SINGLE CRYSTAL

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a production method of a silicon single crystal capable of reducing dislocation by a versatile and simple method.SOLUTION: A production method of a silicon single crystal includes a melting step for melting silicon by heating s quartz crucible containing the silicon by a heating unit, a dip step for bringing a seed crystal into contact with silicon melt in the quartz crucible, and a pulling-up step for pulling the seed crystal up to develop the silicon single crystal. In the pulling-up step, formation of a straight body part of the silicon single crystal is initiated to develop the whole silicon single crystal after power consumption of the heating unit reaches 10,000 kwh or more.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】汎用性がありかつ簡単な方法で有転位化の発生を低減可能なシリコン単結晶の製造方法を提供すること。【解決手段】シリコン単結晶の製造方法は、シリコンが収容された石英坩堝を加熱部で加熱することで、シリコンを融解する融解工程と、種結晶を石英坩堝内のシリコン融液に接触させるディップ工程と、種結晶を引き上げることで、シリコン単結晶を育成する引き上げ工程とを備え、引き上げ工程は、加熱部の消費電力量が１００００ｋｗｈ以上になってからシリコン単結晶の直胴部の形成を開始して、シリコン単結晶全体を育成する。【選択図】図２