INSULATION PROTECTIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a protective film formation method which is an application method for practical use and capable of implementing film thickness formation while using a material of a high dielectric voltage for a protective film for semiconductor to be used under a high voltage.SOLUTION: The protective film formation method includes the steps of: setting a first insulation protective film formation region around an electrode of a semiconductor; applying a first insulation protective film to the first insulation protective film formation region by an ink jet application device; drying the first insulation protective film while reducing a pressure in the state where the semiconductor is encapsulated; baking a semiconductor element including the semiconductor; setting a second insulation protective film formation region covering the first insulation protective film; forming the first insulation protective film in the first insulation protective film formation region by an ink jet application device; and drying and then baking a second insulation protective film.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】高電圧で使用する半導体用保護膜であって、絶縁耐圧が高い材料を使用しながら実用に供されている塗布方法で膜厚形成が実現可能な保護膜形成方法の提供する。【解決手段】半導体の電極周囲に第一の絶縁保護膜形成領域を設定するステップと、インクジェット塗布装置により前記第一の絶縁保護膜形成領域に前記第一の絶縁保護膜を塗布するステップと、前記半導体を密封した状態で減圧しつつ前記第一の絶縁保護膜を乾燥するステップと、前記半導体を含む半導体素子をベークするステップと、前記第一の絶縁保護膜を覆う前記第二の絶縁保護膜形成領域を設定するステップと、インクジェット塗布装置により前記第一の絶縁保護膜形成領域に前記第一の絶縁保護膜を形成するステップと、前記第二の絶縁保護膜を乾燥しついでベークするステップを含む構成とする。【選択図】図１