MANUFACTURING METHOD OF SILICON SINGLE CRYSTAL

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a silicon single crystal capable of efficiently suppressing generation of pinholes in a single crystal.SOLUTION: A manufacturing method of a silicon single crystal in which a silicon single crystal is drawn up from a silicon melt 3 in a quartz crucible 15, the silicon melt 3 being heated by an upper heater 15a and a lower heater 15b arranged at an upper part and a lower part respectively, includes a silicon melt producing step for producing the silicon melt 3 by heating a silicon raw material, a contact step for bringing a seed crystal into contact with the silicon melt 3, a shoulder part growing step for growing a shoulder part having a crystal diameter increased gradually, and a body part growing step for growing a body part having a constant crystal diameter. A first power ratio of the lower heater 15b to the upper heater 15a in the silicon melt producing step is larger than a second power ratio of the lower heater 15b to the upper heater 15a in the body part growing step.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】単結晶中のピンホールの発生を効率的に抑制することが可能なシリコン単結晶製造方法の提供。【解決手段】上下にそれぞれ配置された上部ヒータ１５ａと下部ヒータ１５ｂとを用いて、石英ルツボ１５内のシリコン融液３を加熱し、シリコン融液３から単結晶を引き上げる。シリコン単結晶の製造工程において、シリコン原料を加熱してシリコン融液３を生成するシリコン融液生成工程と、シリコン融液３に種結晶を着液させる着液工程と、結晶直径が徐々に増加したショルダー部を育成するショルダー部育成工程と、結晶直径が一定のボディー部を育成するボディー部育成工程とを備え、シリコン融液生成工程における上部ヒータ１５ａに対する下部ヒータ１５ｂの第１のパワー比が、ボディー部育成工程における上部ヒータ１５ａに対する下部ヒータ１５ｂの第２のパワー比よりも大きいシリコン単結晶の製造方法。【選択図】図１