GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND PRODUCTION METHOD OF GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a new technology in a production method for growing a group III nitride semiconductor by using a substrate containing a plurality of crystal pieces of the group III nitride semiconductor.SOLUTION: There is provided a group III nitride semiconductor substrate 1 having a plurality of crystal pieces 10 of a group III nitride semiconductor arranged with each clearance 30 therebetween, and a binder 20 interposed between each clearance 30, for holding the plurality of crystal pieces 10. The group III nitride semiconductor substrate 1 is utilized as a substrate for growing the group III nitride semiconductor thereon.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】本発明は、III族窒化物半導体の結晶片を複数含む基板用いてIII族窒化物半導体を成長させる製造方法における新たな技術を提供することを課題とする。【解決手段】上記課題を解決するため、本発明では、互いの間に隙間３０を挟んで配置された複数のIII族窒化物半導体の結晶片１０と、隙間３０に介在し、複数の結晶片１０を保持するバインダー２０と、を有するIII族窒化物半導体基板１を提供する。このIII族窒化物半導体基板１は、その上にIII族窒化物半導体を成長させる基板として利用される。【選択図】図１