SEMICONDUCTOR DEVICE

PROBLEM TO BE SOLVED: To increase a current amplification factor of a bipolar transistor in a semiconductor device using a substrate having an insulation layer on a bottom part of a semiconductor layer in a formation region of the bipolar transistor.SOLUTION: A bipolar transistor comprises: a collec...

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: NEGORO TAKAAKI
Format: Patent
Sprache:eng
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