AMPLIFICATEUR A FAIBLE BRUIT

Un amplificateur à faible bruit, LNA, comprend un substrat de silicium sur isolant, SOI, comprenant une couche d'oxyde enterrée, BOX, dans lequel ledit substrat SOI comprend une région massive à l'intérieur de laquelle la couche d'oxyde enterrée est retirée, dans lequel ledit substrat SOI est un substrat SOI à haute résistance, HR, comprenant une tranche de poignée en silicium ayant une résistivité supérieure à 3 kΩ-cm;un transistor bipolaire situé dans ladite région massive; etune couche métallique épaisse pour la connexion au LNA. Figure pour l'abrégé : Fig. 5a A low noise amplifier, LNA, including a silicon on insulator, SOI, substrate having a buried oxide, BOX, layer, wherein the SOI substrate includes a bulk region within which the buried oxide layer is removed. The SOI substrate is a high resistance, HR, SOI substrate including a silicon handle wafer having a resistivity greater than 3 kΩ-cm. The low noise amplifier, LNA, further has a bipolar transistor located in the bulk region, and a thick metal layer for connecting to the LNA.