STRUCTURE COMPOSITE COMPRENANT UNE COUCHE MINCE MONOCRISTALLINE SUR UN SUBSTRAT SUPPORT EN CARBURE DE SILICIUM POLY-CRISTALLIN ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
L'invention concerne une structure composite pour la fabrication de composants microélectroniques comprenant une couche mince monocristalline, disposée sur un substrat support en carbure de silicium poly-cristallin, ledit substrat support présentant une orientation cristalline préférentielle se...
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|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | fre |
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| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | FERRATO, Marc LEFEVRE, Pablo POTIER, Alexandre BIARD, Hugo |
| description | L'invention concerne une structure composite pour la fabrication de composants microélectroniques comprenant une couche mince monocristalline, disposée sur un substrat support en carbure de silicium poly-cristallin, ledit substrat support présentant une orientation cristalline préférentielle selon laquelle : - un coefficient de texture C422 est inférieur à 30%, et - un coefficient de texture C220 est supérieur à 60% ou la somme des coefficients de texture C111+C222+C511 est supérieure à 70%. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'une telle structure composite. Figure à publier avec l'abrégé : Pas de figure
The invention relates to a composite structure for manufacturing microelectronic components, comprising a monocrystalline thin film disposed on a polycrystalline silicon carbide support substrate, said support substrate having a preferred crystalline orientation according to which: - a texture coefficient C422 is less than 30%, and - a texture coefficient C220 is greater than 60% or the sum of texture coefficients C111+C222+C511 is greater than 70%. The invention also relates to a method for manufacturing such a composite structure. |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_FR3134234B1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>FR3134234B1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_FR3134234B13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNqNjDEOwjAMRbswIOAOvgBDKRdI3VRYauPIcQYmVKEwIahUDsRRSQGJleX_b_n9vyyeQSWiRrGA3HsOpJ8k1hmnEN18RjxY6MlhVnaMQkFN11F-higZylbnJaM5eM-iYB2gkXoebjJFHSHFHjx3x-2vD1bBC6Nt3lhraiE0SuzAhMBIdl0sLsN1SpuvrwporeJhm8b7KU3jcE639Di1UpXVflft67L6A3kBf-NFHA</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>STRUCTURE COMPOSITE COMPRENANT UNE COUCHE MINCE MONOCRISTALLINE SUR UN SUBSTRAT SUPPORT EN CARBURE DE SILICIUM POLY-CRISTALLIN ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE</title><source>esp@cenet</source><creator>FERRATO, Marc ; LEFEVRE, Pablo ; POTIER, Alexandre ; BIARD, Hugo</creator><creatorcontrib>FERRATO, Marc ; LEFEVRE, Pablo ; POTIER, Alexandre ; BIARD, Hugo</creatorcontrib><description>L'invention concerne une structure composite pour la fabrication de composants microélectroniques comprenant une couche mince monocristalline, disposée sur un substrat support en carbure de silicium poly-cristallin, ledit substrat support présentant une orientation cristalline préférentielle selon laquelle : - un coefficient de texture C422 est inférieur à 30%, et - un coefficient de texture C220 est supérieur à 60% ou la somme des coefficients de texture C111+C222+C511 est supérieure à 70%. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'une telle structure composite. Figure à publier avec l'abrégé : Pas de figure
The invention relates to a composite structure for manufacturing microelectronic components, comprising a monocrystalline thin film disposed on a polycrystalline silicon carbide support substrate, said support substrate having a preferred crystalline orientation according to which: - a texture coefficient C422 is less than 30%, and - a texture coefficient C220 is greater than 60% or the sum of texture coefficients C111+C222+C511 is greater than 70%. The invention also relates to a method for manufacturing such a composite structure.</description><language>fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMISTRY ; COMPOUNDS THEREOF ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; INORGANIC CHEMISTRY ; METALLURGY ; NON-METALLIC ELEMENTS ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240223&DB=EPODOC&CC=FR&NR=3134234B1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,777,882,25545,76296</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240223&DB=EPODOC&CC=FR&NR=3134234B1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>FERRATO, Marc</creatorcontrib><creatorcontrib>LEFEVRE, Pablo</creatorcontrib><creatorcontrib>POTIER, Alexandre</creatorcontrib><creatorcontrib>BIARD, Hugo</creatorcontrib><title>STRUCTURE COMPOSITE COMPRENANT UNE COUCHE MINCE MONOCRISTALLINE SUR UN SUBSTRAT SUPPORT EN CARBURE DE SILICIUM POLY-CRISTALLIN ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE</title><description>L'invention concerne une structure composite pour la fabrication de composants microélectroniques comprenant une couche mince monocristalline, disposée sur un substrat support en carbure de silicium poly-cristallin, ledit substrat support présentant une orientation cristalline préférentielle selon laquelle : - un coefficient de texture C422 est inférieur à 30%, et - un coefficient de texture C220 est supérieur à 60% ou la somme des coefficients de texture C111+C222+C511 est supérieure à 70%. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'une telle structure composite. Figure à publier avec l'abrégé : Pas de figure
The invention relates to a composite structure for manufacturing microelectronic components, comprising a monocrystalline thin film disposed on a polycrystalline silicon carbide support substrate, said support substrate having a preferred crystalline orientation according to which: - a texture coefficient C422 is less than 30%, and - a texture coefficient C220 is greater than 60% or the sum of texture coefficients C111+C222+C511 is greater than 70%. The invention also relates to a method for manufacturing such a composite structure.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COMPOUNDS THEREOF</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>INORGANIC CHEMISTRY</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>NON-METALLIC ELEMENTS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNjDEOwjAMRbswIOAOvgBDKRdI3VRYauPIcQYmVKEwIahUDsRRSQGJleX_b_n9vyyeQSWiRrGA3HsOpJ8k1hmnEN18RjxY6MlhVnaMQkFN11F-higZylbnJaM5eM-iYB2gkXoebjJFHSHFHjx3x-2vD1bBC6Nt3lhraiE0SuzAhMBIdl0sLsN1SpuvrwporeJhm8b7KU3jcE639Di1UpXVflft67L6A3kBf-NFHA</recordid><startdate>20240223</startdate><enddate>20240223</enddate><creator>FERRATO, Marc</creator><creator>LEFEVRE, Pablo</creator><creator>POTIER, Alexandre</creator><creator>BIARD, Hugo</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20240223</creationdate><title>STRUCTURE COMPOSITE COMPRENANT UNE COUCHE MINCE MONOCRISTALLINE SUR UN SUBSTRAT SUPPORT EN CARBURE DE SILICIUM POLY-CRISTALLIN ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE</title><author>FERRATO, Marc ; LEFEVRE, Pablo ; POTIER, Alexandre ; BIARD, Hugo</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_FR3134234B13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>fre</language><creationdate>2024</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>COMPOUNDS THEREOF</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>INORGANIC CHEMISTRY</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>NON-METALLIC ELEMENTS</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>FERRATO, Marc</creatorcontrib><creatorcontrib>LEFEVRE, Pablo</creatorcontrib><creatorcontrib>POTIER, Alexandre</creatorcontrib><creatorcontrib>BIARD, Hugo</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>FERRATO, Marc</au><au>LEFEVRE, Pablo</au><au>POTIER, Alexandre</au><au>BIARD, Hugo</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>STRUCTURE COMPOSITE COMPRENANT UNE COUCHE MINCE MONOCRISTALLINE SUR UN SUBSTRAT SUPPORT EN CARBURE DE SILICIUM POLY-CRISTALLIN ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE</title><date>2024-02-23</date><risdate>2024</risdate><abstract>L'invention concerne une structure composite pour la fabrication de composants microélectroniques comprenant une couche mince monocristalline, disposée sur un substrat support en carbure de silicium poly-cristallin, ledit substrat support présentant une orientation cristalline préférentielle selon laquelle : - un coefficient de texture C422 est inférieur à 30%, et - un coefficient de texture C220 est supérieur à 60% ou la somme des coefficients de texture C111+C222+C511 est supérieure à 70%. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'une telle structure composite. Figure à publier avec l'abrégé : Pas de figure
The invention relates to a composite structure for manufacturing microelectronic components, comprising a monocrystalline thin film disposed on a polycrystalline silicon carbide support substrate, said support substrate having a preferred crystalline orientation according to which: - a texture coefficient C422 is less than 30%, and - a texture coefficient C220 is greater than 60% or the sum of texture coefficients C111+C222+C511 is greater than 70%. The invention also relates to a method for manufacturing such a composite structure.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | fre |
| recordid | cdi_epo_espacenet_FR3134234B1 |
| source | esp@cenet |
| subjects | BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY COMPOUNDS THEREOF ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INORGANIC CHEMISTRY METALLURGY NON-METALLIC ELEMENTS SEMICONDUCTOR DEVICES |
| title | STRUCTURE COMPOSITE COMPRENANT UNE COUCHE MINCE MONOCRISTALLINE SUR UN SUBSTRAT SUPPORT EN CARBURE DE SILICIUM POLY-CRISTALLIN ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-17T21%3A55%3A36IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=FERRATO,%20Marc&rft.date=2024-02-23&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EFR3134234B1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |