Mémoire morte programmable

Mémoire morte programmable

Mémoire morte programmable La présente description concerne un cellule mémoire morte programmable (10) comprenant une première couche isolante (22) située entre un caisson semiconducteur (12) et une deuxième couche conductrice ou semiconductrice (24), la première couche isolante (22) comprenant une...

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Hauptverfasser: CALENZO, Patrick, MATTEI, Sandra
Format: Patent
Sprache:fre
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
INFORMATION STORAGE
PHYSICS
SEMICONDUCTOR DEVICES
STATIC STORES
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creator CALENZO, Patrick
MATTEI, Sandra
description Mémoire morte programmable La présente description concerne un cellule mémoire morte programmable (10) comprenant une première couche isolante (22) située entre un caisson semiconducteur (12) et une deuxième couche conductrice ou semiconductrice (24), la première couche isolante (22) comprenant une partie périphérique (22b) et une partie centrale (22a), la partie périphérique (22b) ayant une épaisseur supérieure à l'épaisseur de la partie centrale (22a). Figure pour l'abrégé : Fig. 1 A memory cell is disclosed. In an embodiment a programmable read-only memory cell includes a first insulating layer located between a semiconductor body and a second conductive or semi-conductive layer, wherein the first insulating layer comprises a peripheral portion and a central portion, and wherein the peripheral portion has a greater thickness than the central portion.
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Figure pour l'abrégé : Fig. 1 A memory cell is disclosed. 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