Pixel d'un capteur de lumière et son procédé de fabrication

Pixel d'un capteur de lumière et son procédé de fabrication La présente description concerne un pixel (2) et un procédé de fabrication d'un tel pixel (2), le procédé comprenant les étapes successives suivantes : déposer une première couche d'électrode (118) sur une face exposée d'une structure d'interconnexion (102) et en contact avec un élément conducteur (104) de la structure ; déposer une couche isolante (200) ; graver une ouverture (300) traversant la couche isolante (200) jusqu'à la première couche d'électrode (118) ; déposer une deuxième couche d'électrode (400) sur et en contact avec la première couche d'électrode (118) et la couche isolante (200) ; retirer par gravure une partie de la deuxième couche d'électrode (400) reposant sur la couche isolante (200) ; et déposer un film (500) configuré pour convertir des photons en paires électron-trou. Figure pour l'abrégé : Fig. 7 A pixel includes a first electrode layer on an exposed surface of an interconnection structure and in contact with a conductive element of the interconnection structure. An insulating layer extends over the first electrode layer and includes opening crossing through the insulating layer to the first electrode layer. A second electrode layer is on top of and in contact with the first electrode layer and the insulating layer in the opening. A film configured to convert photons into electron-hole pairs is on the insulating layer, the second electrode layer and filling the opening. A third electrode layer covers the film.