Procédé pour la fabrication d'une mémoire 3D-NAND
Procédé pour la fabrication d'une mémoire 3D-NAND L'invention se rapporte à un procédé pour la fabrication d'une mémoire 3D-NAND comprenant une première étape d'électrodéposition d'un alliage de cuivre et d'un métal dopant choisi parmi le manganèse et le zinc suivie d&#...
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| description | Procédé pour la fabrication d'une mémoire 3D-NAND L'invention se rapporte à un procédé pour la fabrication d'une mémoire 3D-NAND comprenant une première étape d'électrodéposition d'un alliage de cuivre et d'un métal dopant choisi parmi le manganèse et le zinc suivie d'une deuxième étape de recuit de l'alliage pour former une première couche de cuivre et une deuxième couche comprenant le zinc ou le manganèse, par démixtion de l'alliage. Figure pour l'abrégé : Figure 3C
The invention relates to a process for fabricating a 3D-NAND flash memory comprising a first step of electrodepositing an alloy of copper and of a dopant metal selected from manganese and zinc followed by a second step of annealing the alloy to form a first layer of copper and a second layer comprising zinc or manganese, by demixing the alloy. |
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The invention relates to a process for fabricating a 3D-NAND flash memory comprising a first step of electrodepositing an alloy of copper and of a dopant metal selected from manganese and zinc followed by a second step of annealing the alloy to form a first layer of copper and a second layer comprising zinc or manganese, by demixing the alloy.</description><language>fre</language><subject>APPARATUS THEREFOR ; BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMISTRY ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; ELECTROFORMING ; ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES ; METALLURGY ; PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTIONOF COATINGS ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2022</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20220415&DB=EPODOC&CC=FR&NR=3115046A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20220415&DB=EPODOC&CC=FR&NR=3115046A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>RAYNAL, Frédéric</creatorcontrib><creatorcontrib>MEVELLEC, Vincent</creatorcontrib><creatorcontrib>LAKHDARI, Amine</creatorcontrib><creatorcontrib>THIAM, Mikailou</creatorcontrib><title>Procédé pour la fabrication d'une mémoire 3D-NAND</title><description>Procédé pour la fabrication d'une mémoire 3D-NAND L'invention se rapporte à un procédé pour la fabrication d'une mémoire 3D-NAND comprenant une première étape d'électrodéposition d'un alliage de cuivre et d'un métal dopant choisi parmi le manganèse et le zinc suivie d'une deuxième étape de recuit de l'alliage pour former une première couche de cuivre et une deuxième couche comprenant le zinc ou le manganèse, par démixtion de l'alliage. Figure pour l'abrégé : Figure 3C
The invention relates to a process for fabricating a 3D-NAND flash memory comprising a first step of electrodepositing an alloy of copper and of a dopant metal selected from manganese and zinc followed by a second step of annealing the alloy to form a first layer of copper and a second layer comprising zinc or manganese, by demixing the alloy.</description><subject>APPARATUS THEREFOR</subject><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>ELECTROFORMING</subject><subject>ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTIONOF COATINGS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2022</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZDAJKMpPPrwy5fBKhYL80iKFnESFtMSkoszkxJLM_DyFFPXSvFSF3MMrc_Mzi1IVjF10_Rz9XHgYWNMSc4pTeaE0N4OCm2uIs4duakF-fGpxQWJyal5qSbxbkLGhoamBiZmjoTERSgA9uyzj</recordid><startdate>20220415</startdate><enddate>20220415</enddate><creator>RAYNAL, Frédéric</creator><creator>MEVELLEC, Vincent</creator><creator>LAKHDARI, Amine</creator><creator>THIAM, Mikailou</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20220415</creationdate><title>Procédé pour la fabrication d'une mémoire 3D-NAND</title><author>RAYNAL, Frédéric ; MEVELLEC, Vincent ; LAKHDARI, Amine ; THIAM, Mikailou</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_FR3115046A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>fre</language><creationdate>2022</creationdate><topic>APPARATUS THEREFOR</topic><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>ELECTROFORMING</topic><topic>ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTIONOF COATINGS</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>RAYNAL, Frédéric</creatorcontrib><creatorcontrib>MEVELLEC, Vincent</creatorcontrib><creatorcontrib>LAKHDARI, Amine</creatorcontrib><creatorcontrib>THIAM, Mikailou</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>RAYNAL, Frédéric</au><au>MEVELLEC, Vincent</au><au>LAKHDARI, Amine</au><au>THIAM, Mikailou</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Procédé pour la fabrication d'une mémoire 3D-NAND</title><date>2022-04-15</date><risdate>2022</risdate><abstract>Procédé pour la fabrication d'une mémoire 3D-NAND L'invention se rapporte à un procédé pour la fabrication d'une mémoire 3D-NAND comprenant une première étape d'électrodéposition d'un alliage de cuivre et d'un métal dopant choisi parmi le manganèse et le zinc suivie d'une deuxième étape de recuit de l'alliage pour former une première couche de cuivre et une deuxième couche comprenant le zinc ou le manganèse, par démixtion de l'alliage. Figure pour l'abrégé : Figure 3C
The invention relates to a process for fabricating a 3D-NAND flash memory comprising a first step of electrodepositing an alloy of copper and of a dopant metal selected from manganese and zinc followed by a second step of annealing the alloy to form a first layer of copper and a second layer comprising zinc or manganese, by demixing the alloy.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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