DISPOSITIF DE PHOTO-DÉTECTION À GRADIENT LATÉRAL DE CONCENTRATION EN CADMIUM DANS LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE

DISPOSITIF DE PHOTO-DÉTECTION À GRADIENT LATÉRAL DE CONCENTRATION EN CADMIUM DANS LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE

Dispositif de photo-détection (100) comportant un substrat semiconducteur (110) en CdxHg1-xTe, avec une région d'absorption dopée N (120), une région dopée P (130), et un caisson concentré (150) localisé uniquement dans la région dopée P et présentant une concentration moyenne en cadmium supéri...

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Hauptverfasser: ROCHETTE, Florent, LOBRE, Clément
Format: Patent
Sprache:fre
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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creator ROCHETTE, Florent
LOBRE, Clément
description Dispositif de photo-détection (100) comportant un substrat semiconducteur (110) en CdxHg1-xTe, avec une région d'absorption dopée N (120), une région dopée P (130), et un caisson concentré (150) localisé uniquement dans la région dopée P et présentant une concentration moyenne en cadmium supérieure à la concentration moyenne en cadmium dans la région dopée N. Selon l'invention, le caisson concentré (150) présente un gradient de concentration en cadmium, définissant dans ce dernier au moins une zone de gap intermédiaire (151) et au moins une zone fort gap (152), et la zone de gap intermédiaire (151) est en contact physique direct avec un plot de contact électrique (170). On combine ainsi une forte réduction du courant d'obscurité et une collecte optimale des porteurs de charge. Figure pour l'abrégé : Fig 1A Photo-detection device (100) including a semiconductor substrate (110) made of CdxHg1-xTe, with an N-doped region (120), a P-doped region (130), and a concentrated casing (150) only located in the P-doped region and having an average cadmium concentration greater than the average cadmium concentration in the N-doped region.According to the invention, the concentrated casing (150) has a cadmium concentration gradient, defining therein at least one intermediate gap zone (151) and at least one high gap zone (152), and the intermediate gap zone (151) is in direct physical contact with an electrical contact block (170).A significant reduction in the dark current and an optimal charge carrier collection are thus combined.
format Patent
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Selon l'invention, le caisson concentré (150) présente un gradient de concentration en cadmium, définissant dans ce dernier au moins une zone de gap intermédiaire (151) et au moins une zone fort gap (152), et la zone de gap intermédiaire (151) est en contact physique direct avec un plot de contact électrique (170). On combine ainsi une forte réduction du courant d'obscurité et une collecte optimale des porteurs de charge. Figure pour l'abrégé : Fig 1A Photo-detection device (100) including a semiconductor substrate (110) made of CdxHg1-xTe, with an N-doped region (120), a P-doped region (130), and a concentrated casing (150) only located in the P-doped region and having an average cadmium concentration greater than the average cadmium concentration in the N-doped region.According to the invention, the concentrated casing (150) has a cadmium concentration gradient, defining therein at least one intermediate gap zone (151) and at least one high gap zone (152), and the intermediate gap zone (151) is in direct physical contact with an electrical contact block (170).A significant reduction in the dark current and an optimal charge carrier collection are thus combined.</description><language>fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2021</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20211015&amp;DB=EPODOC&amp;CC=FR&amp;NR=3109244A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25543,76293</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20211015&amp;DB=EPODOC&amp;CC=FR&amp;NR=3109244A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>ROCHETTE, Florent</creatorcontrib><creatorcontrib>LOBRE, Clément</creatorcontrib><title>DISPOSITIF DE PHOTO-DÉTECTION À GRADIENT LATÉRAL DE CONCENTRATION EN CADMIUM DANS LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE</title><description>Dispositif de photo-détection (100) comportant un substrat semiconducteur (110) en CdxHg1-xTe, avec une région d'absorption dopée N (120), une région dopée P (130), et un caisson concentré (150) localisé uniquement dans la région dopée P et présentant une concentration moyenne en cadmium supérieure à la concentration moyenne en cadmium dans la région dopée N. Selon l'invention, le caisson concentré (150) présente un gradient de concentration en cadmium, définissant dans ce dernier au moins une zone de gap intermédiaire (151) et au moins une zone fort gap (152), et la zone de gap intermédiaire (151) est en contact physique direct avec un plot de contact électrique (170). On combine ainsi une forte réduction du courant d'obscurité et une collecte optimale des porteurs de charge. Figure pour l'abrégé : Fig 1A Photo-detection device (100) including a semiconductor substrate (110) made of CdxHg1-xTe, with an N-doped region (120), a P-doped region (130), and a concentrated casing (150) only located in the P-doped region and having an average cadmium concentration greater than the average cadmium concentration in the N-doped region.According to the invention, the concentrated casing (150) has a cadmium concentration gradient, defining therein at least one intermediate gap zone (151) and at least one high gap zone (152), and the intermediate gap zone (151) is in direct physical contact with an electrical contact block (170).A significant reduction in the dark current and an optimal charge carrier collection are thus combined.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2021</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNyjEOgjAUxnEWB6Pe4W1OJCIsji_tgzaBlrSPxYUQUycjJHgAV87FxUTiAZy-f778tlEvta-t16xzkAS1smxjOU9MgrU1ML-hcCg1GYYSeZ4cll8orBHL53BVZECgrHRTgUTjFwlXa2iFCl2x1JF8jYL20ebePcZw-O0ugpxYqDgMfRvGobuFZ3i1uUuT0-WcZZikf5APQ8w4hA</recordid><startdate>20211015</startdate><enddate>20211015</enddate><creator>ROCHETTE, Florent</creator><creator>LOBRE, Clément</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20211015</creationdate><title>DISPOSITIF DE PHOTO-DÉTECTION À GRADIENT LATÉRAL DE CONCENTRATION EN CADMIUM DANS LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE</title><author>ROCHETTE, Florent ; LOBRE, Clément</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_FR3109244A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>fre</language><creationdate>2021</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>ROCHETTE, Florent</creatorcontrib><creatorcontrib>LOBRE, Clément</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>ROCHETTE, Florent</au><au>LOBRE, Clément</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>DISPOSITIF DE PHOTO-DÉTECTION À GRADIENT LATÉRAL DE CONCENTRATION EN CADMIUM DANS LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE</title><date>2021-10-15</date><risdate>2021</risdate><abstract>Dispositif de photo-détection (100) comportant un substrat semiconducteur (110) en CdxHg1-xTe, avec une région d'absorption dopée N (120), une région dopée P (130), et un caisson concentré (150) localisé uniquement dans la région dopée P et présentant une concentration moyenne en cadmium supérieure à la concentration moyenne en cadmium dans la région dopée N. 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