Procédé d'écriture dans une mémoire non-volatile suivant le vieillissement des cellules mémoires et circuit intégré correspondant

Le circuit intégré de mémoire non-volatile (NVM) comprend des cellules mémoires logées dans un caisson semiconducteur (PW1) et comportant chacune un transistor d'état (TEsel, TEnsl) ayant une grille flottante (FG) et une grille de commande (CG), ainsi que des moyens d'effacement configurés...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	GRANDE, Francesca, ITALIANO, Franco, NASTASI, Giuseppe, LA ROSA, Francesco, PAGANO, Santi Nunzio Antonino, CASTALDO, Enrico
Format:	Patent
Sprache:	fre
Schlagworte:	CALCULATING COMPUTING COUNTING ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING ELECTRICITY INFORMATION STORAGE PHYSICS STATIC STORES
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