PROCÉDÉ D'AUTO-ASSEMBLAGE D'UN COPOLYMÈRE À BLOCS À L'AIDE D'UNE COUCHE DE REVÊTEMENT SUPÉRIEUR

PROCÉDÉ D'AUTO-ASSEMBLAGE D'UN COPOLYMÈRE À BLOCS À L'AIDE D'UNE COUCHE DE REVÊTEMENT SUPÉRIEUR L'invention concerne un procédé d'auto-assemblage d'un copolymère à blocs, comprenant les étapes suivantes : déposer le copolymère à blocs sur un substrat (100) de façon...

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Hauptverfasser: BEZARD, Philippe, CHEVALIER, Xavier, ZELSMANN, Marc, LOMBARD, Geoffrey
Format: Patent
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CHEVALIER, Xavier
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description PROCÉDÉ D'AUTO-ASSEMBLAGE D'UN COPOLYMÈRE À BLOCS À L'AIDE D'UNE COUCHE DE REVÊTEMENT SUPÉRIEUR L'invention concerne un procédé d'auto-assemblage d'un copolymère à blocs, comprenant les étapes suivantes : déposer le copolymère à blocs sur un substrat (100) de façon à obtenir un film de copolymère, le copolymère à blocs comprenant une première phase de polymère contenant du carbone et une deuxième phase de polymère contenant du silicium, les première et deuxième phases de polymère présentant chacune un pourcentage atomique en oxygène inférieur à 1 % ; former une couche de revêtement supérieur (130) sur le film de copolymère, la couche de revêtement supérieur étant constituée d'un matériau polymère présentant un pourcentage atomique en oxygène supérieur ou égal à 5 % et une affinité chimique neutre par rapport au copolymère à bloc ; ordonner (S3) le film de copolymère par auto-assemblage du copolymère à blocs ; et graver la couche de revêtement supérieur (130) au moyen d'un plasma formé à partir de dihydrogène (H2). Figure à publier avec l'abrégé : Fig.1C The invention relates to a method for self-assembly of a block copolymer, comprising the following steps: - depositing the block copolymer on a substrate (100) so as to obtain a copolymer film, the block copolymer comprising a first polymer phase containing carbon and a second polymer phase containing silicon, the first and second polymer phases each having an atomic percentage of oxygen below 1%; - forming an upper coating layer (130) on the copolymer film, the upper coating layer consisting of a polymer material having an atomic percentage of oxygen greater than or equal to 5% and a chemical affinity which is neutral in relation to the block copolymer; - ordering (S3) the copolymer film by self-assembly of the block copolymer; and - etching the upper coating layer (130) using a plasma formed from dihydrogen (H2).
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Figure à publier avec l'abrégé : Fig.1C The invention relates to a method for self-assembly of a block copolymer, comprising the following steps: - depositing the block copolymer on a substrate (100) so as to obtain a copolymer film, the block copolymer comprising a first polymer phase containing carbon and a second polymer phase containing silicon, the first and second polymer phases each having an atomic percentage of oxygen below 1%; - forming an upper coating layer (130) on the copolymer film, the upper coating layer consisting of a polymer material having an atomic percentage of oxygen greater than or equal to 5% and a chemical affinity which is neutral in relation to the block copolymer; - ordering (S3) the copolymer film by self-assembly of the block copolymer; and - etching the upper coating layer (130) using a plasma formed from dihydrogen (H2).</description><language>fre</language><subject>AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F,C08G ; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING ; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR ; BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMISTRY ; CINEMATOGRAPHY ; COMPOSITIONS BASED THEREON ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; ELECTROGRAPHY ; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING ; HOLOGRAPHY ; MATERIALS THEREFOR ; METALLURGY ; ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS ; ORIGINALS THEREFOR ; PERFORMING OPERATIONS ; PHOTOGRAPHY ; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES ; PHYSICS ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDEDFOR ; SHAPING OR JOINING OF PLASTICS ; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP ; TRANSPORTING ; WORKING OF PLASTICS ; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE, IN GENERAL ; WORKING-UP</subject><creationdate>2021</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20210122&amp;DB=EPODOC&amp;CC=FR&amp;NR=3091531B1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,778,883,25551,76302</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20210122&amp;DB=EPODOC&amp;CC=FR&amp;NR=3091531B1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>BEZARD, Philippe</creatorcontrib><creatorcontrib>CHEVALIER, Xavier</creatorcontrib><creatorcontrib>ZELSMANN, Marc</creatorcontrib><creatorcontrib>LOMBARD, Geoffrey</creatorcontrib><title>PROCÉDÉ D'AUTO-ASSEMBLAGE D'UN COPOLYMÈRE À BLOCS À L'AIDE D'UNE COUCHE DE REVÊTEMENT SUPÉRIEUR</title><description>PROCÉDÉ D'AUTO-ASSEMBLAGE D'UN COPOLYMÈRE À BLOCS À L'AIDE D'UNE COUCHE DE REVÊTEMENT SUPÉRIEUR L'invention concerne un procédé d'auto-assemblage d'un copolymère à blocs, comprenant les étapes suivantes : déposer le copolymère à blocs sur un substrat (100) de façon à obtenir un film de copolymère, le copolymère à blocs comprenant une première phase de polymère contenant du carbone et une deuxième phase de polymère contenant du silicium, les première et deuxième phases de polymère présentant chacune un pourcentage atomique en oxygène inférieur à 1 % ; former une couche de revêtement supérieur (130) sur le film de copolymère, la couche de revêtement supérieur étant constituée d'un matériau polymère présentant un pourcentage atomique en oxygène supérieur ou égal à 5 % et une affinité chimique neutre par rapport au copolymère à bloc ; ordonner (S3) le film de copolymère par auto-assemblage du copolymère à blocs ; et graver la couche de revêtement supérieur (130) au moyen d'un plasma formé à partir de dihydrogène (H2). Figure à publier avec l'abrégé : Fig.1C The invention relates to a method for self-assembly of a block copolymer, comprising the following steps: - depositing the block copolymer on a substrate (100) so as to obtain a copolymer film, the block copolymer comprising a first polymer phase containing carbon and a second polymer phase containing silicon, the first and second polymer phases each having an atomic percentage of oxygen below 1%; - forming an upper coating layer (130) on the copolymer film, the upper coating layer consisting of a polymer material having an atomic percentage of oxygen greater than or equal to 5% and a chemical affinity which is neutral in relation to the block copolymer; - ordering (S3) the copolymer film by self-assembly of the block copolymer; and - etching the upper coating layer (130) using a plasma formed from dihydrogen (H2).</description><subject>AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F,C08G</subject><subject>AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING</subject><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</subject><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>CINEMATOGRAPHY</subject><subject>COMPOSITIONS BASED THEREON</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>ELECTROGRAPHY</subject><subject>GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING</subject><subject>HOLOGRAPHY</subject><subject>MATERIALS THEREFOR</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS</subject><subject>ORIGINALS THEREFOR</subject><subject>PERFORMING OPERATIONS</subject><subject>PHOTOGRAPHY</subject><subject>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</subject><subject>PHYSICS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDEDFOR</subject><subject>SHAPING OR JOINING OF PLASTICS</subject><subject>THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP</subject><subject>TRANSPORTING</subject><subject>WORKING OF PLASTICS</subject><subject>WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE, IN GENERAL</subject><subject>WORKING-UP</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2021</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZEgLCPJ3PtzpcrhTwUXdMTTEX9cxONjV18nH0d0VKBLqp-DsH-DvE-l7uCPIVeFwg4KTj79zMIjho-7o6QJR4wpUFOrsAeS4KgS5hh3uCnH1dfULUQgODTjcGeTpGhrEw8CalphTnMoLpbkZFNxcQ5w9dFML8uNTiwsSk1PzUkvi3YKMDSwNTY0NnQyNiVACALdkORU</recordid><startdate>20210122</startdate><enddate>20210122</enddate><creator>BEZARD, Philippe</creator><creator>CHEVALIER, Xavier</creator><creator>ZELSMANN, Marc</creator><creator>LOMBARD, Geoffrey</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20210122</creationdate><title>PROCÉDÉ D'AUTO-ASSEMBLAGE D'UN COPOLYMÈRE À BLOCS À L'AIDE D'UNE COUCHE DE REVÊTEMENT SUPÉRIEUR</title><author>BEZARD, Philippe ; 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former une couche de revêtement supérieur (130) sur le film de copolymère, la couche de revêtement supérieur étant constituée d'un matériau polymère présentant un pourcentage atomique en oxygène supérieur ou égal à 5 % et une affinité chimique neutre par rapport au copolymère à bloc ; ordonner (S3) le film de copolymère par auto-assemblage du copolymère à blocs ; et graver la couche de revêtement supérieur (130) au moyen d'un plasma formé à partir de dihydrogène (H2). Figure à publier avec l'abrégé : Fig.1C The invention relates to a method for self-assembly of a block copolymer, comprising the following steps: - depositing the block copolymer on a substrate (100) so as to obtain a copolymer film, the block copolymer comprising a first polymer phase containing carbon and a second polymer phase containing silicon, the first and second polymer phases each having an atomic percentage of oxygen below 1%; - forming an upper coating layer (130) on the copolymer film, the upper coating layer consisting of a polymer material having an atomic percentage of oxygen greater than or equal to 5% and a chemical affinity which is neutral in relation to the block copolymer; - ordering (S3) the copolymer film by self-assembly of the block copolymer; and - etching the upper coating layer (130) using a plasma formed from dihydrogen (H2).</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
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