Fabrication of a flash memory from a semiconductor substrate provided with a self-aligned source line and two adjacent rows of floating gate transistors and an oxide gate

Fabrication of flash memory (1) from semiconductor substrate (2) with at least two adjacent rows of floating gate transistor precursor stacks, at least part covered by protective resin and separated by source line formation zone, consists of: (a) forming trench by attack on source line formation zone and protective resin, resulting in resin residue deposition under stacks; (b) withdrawing residue deposits; (c) implanting source line (7) in formation zone. The fabrication of a flash memory (1) from a semiconductor substrate (2) provided with at least two adjacent rows of floating gate transistor precursor stacks, these stacks being at least partially covered with a protective resin and being separated by a zone for the formation of a source line, consists of: (a) forming a trench in the source line formation zone by an attack of this zone and the protective resin, this resulting in the deposition of the resin residues under the stacks; (b) withdrawing the deposit of residues; (c) implanting a source line (7) in the formation zone beneath the stacks. An Independent claim is also included for a flash memory with a semiconductor substrate provided with a self-aligned source line and two adjacent rows of floating gate transistors incorporating an oxide gate. L'invention concerne un procédé de fabrication d'une mémoire flash (1) à partir d'un substrat semiconducteur (2) muni d'au moins deux rangées adjacentes (31, 32) d'empilements précurseurs de transistors à grille flottante, les empilements (31, 32) étant au moins partiellement recouverts d'une résine de protection (14) et étant séparés par une zone de formation d'une ligne de source (71), le procédé comprenant les étapes consistant à:- former une tranchée dans la zone de formation de la ligne de source (71) par une attaque de cette zone et de la résine de protection (14), ce dont il résulte un dépôt de résidus (15) de la résine au-dessous des empilements;- retirer ultérieurement le dépôt de résidu (15);- implanter ultérieurement une ligne de source (7) dans la zone de formation au-dessous des empilements.Ce procédé permet de réduire le temps d'effacement de la mémoire.L'invention porte également sur une mémoire Flash.