SILICIUM MULTICRISTALLIN A SOLIDIFICATION DIRIGEE, SON PROCEDE DE FABRICATION ET SON UTILISATION, ET CELLULES SOLAIRES CONTENANT CE SILICIUM ET LEUR PROCEDE DE FABRICATION

L'invention concerne un silicium multicristallin à solidification dirigée contenant de l'arsenic et/ ou de l'antimoine, un procédé pour sa production et son utilisation, ainsi que des cellules solaires contenant ce silicium et un procédé pour leur production. The present invention rel...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	HABLER CHRISTIAN, WEBER KLAUS, WODITSCH PETER, LANGE HORST, KRUMBE WOLFGANG
Format:	Patent
Sprache:	fre
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SEMICONDUCTOR DEVICES SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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