CAPTEUR A EFFET HALL INCORPORE DANS UN CIRCUIT INTEGRE DU TYPE CMOS

L'invention concerne un capteur à effet Hall incorporé dans un circuit intégré du type CMOS. Le circuit intégré (IC') comporte un caisson (2') en tant que couche active sur un substrat (1'). Des régions fortement dopées (31',..., 34') dans le caisson (2') sont connectées à des contacts métalliques (41',..., 44') de captage. Le plan supérieur (S') du substrat (1) est recouvert d'une couche (5') d'oxyde de champ dont l'épaisseur est comprise entre 0,8 mum et 1,0 mum. Une couche (6') de silicium polycristallin est prévue, sur la couche (5'), dans la région (50') entourant les contacts (41',..., 44'), pour empêcher l'effet perturbateur d'ions migrant dans la couche (5') d'oxyde de champ. Domaine d'application: wattmètres et autres instruments de mesure électrique. A Hall-effect sensor HS' incorporated in a CMOS integrated circuit IC' is formed with a well 2' as the sensor active layer in a substrate 1'. Heavily doped regions 31' to 34' in the well 2' are connected to respective sensor metal contacts 41' to 44'. The upper surface S' of the substrate 1' is covered by a field oxide layer 5' having a thickness between 0.8 mu m and 1.0 mu m. Over the field oxide layer 5' in a region 50' surrounding the sensor contacts 41' to 44', a polysilicon blocking layer 6' is provided to block the disturbing influence of ions migrating in the field oxide layer 5'. In another embodiment, the blocking layer is formed under the field oxide layer.