PHOTODETECTEUR INTEGRABLE DE FACON MONOLITHIQUE
A photo-detector includes a photoconductor comprised by a structure similar to a high electron mobility transistor (HEMT) but with the gate removed and the layer of high band gap thinned in order to reduce noise. On a semi-insulating substrate (8), an n-channel layer (9) is disposed and on channel l...
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Format: | Patent |
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