DISPOSITIF DE MEMORISATION A SEMI-CONDUCTEURS

The semiconductor memory contains a degenerate semiconductor layer (1) and a nondegenerate semiconductor layer (2) having traps in the energy gap. The conductivity type of the degenerate semiconductor layer (1) is opposite to that of the nondegenerate semiconductor layer (2). Situated between the degenerate semiconductor layer (1) and the nondegenerate semiconductor layer (2) is a dielectric layer (4) capable of tunnel conduction. Deposited on the nondegenerate semiconductor layer (2) is a layer of material (5) which forms a potential barrier with the nondegenerate semiconductor layer (2) and, together with the dielectric layer (4) which is capable of tunnel conduction, prevents the penetration of the charge carriers from the degenerate semiconductor layer (1) and from the ohmic contact (6) into the nondegenerate semiconductor layer (2). LE DISPOSITIF DE MEMORISATION, A SEMI-CONDUCTEURS COMPORTE UNE COUCHE 1 DE SEMI-CONDUCTEUR DEGENERE ET UNE COUCHE 2 DE SEMI-CONDUCTEUR NON DEGENERE AVEC PIEGES DANS LA BANDE INTERDITE ET A CONDUCTION DU TYPE INVERSE DU TYPE DE CONDUCTION DU SEMI-CONDUCTEURDEGENERE. ENTRE LES COUCHES DE SEMI-CONDUCTEURS DEGENERE ET NON DEGENERE SE TROUVE UNE COUCHE 4 DE DIELECTRIQUE A TRANSPARENCE PAR EFFET TUNNEL. SUR LA COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR NON DEGENERE SE TROUVE UNE COUCHE 5 DE MATERIAU FORMANT UNE BARRIERE DE POTENTIEL AVEC LA COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR NON DEGENERE ET INTERDISANT, EN COOPERATION AVEC LA COUCHE DE DIELECTRIQUE A TRANSPARENCE PAR EFFET TUNNEL, LA PENETRATION DES PORTEURS DE CHARGE DEPUIS LA COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR DEGENERE ET DEPUIS LE CONTACT OHMIQUE DANS LA COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR NON DEGENERE.