Portasustratos portador de un sustrato en cada uno de sus dos lados anchos que miran uno hacia fuera de otro
Portasustratos para disponerlo en un reactor CVD o PVD (20), especialmente para la deposición de nanotubos de carbono y grafeno, con una primera superficie de lado ancho (2) para recibir un sustrato (6) a revestir y con una segunda superficie de lado ancho (3) que mira hacia fuera de la primera supe...
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creator | TEO, Kenneth B. K JOUVRAY, Alexandre RUPESINGHE, Nalin L RIPPINGTON, David Eric |
description | Portasustratos para disponerlo en un reactor CVD o PVD (20), especialmente para la deposición de nanotubos de carbono y grafeno, con una primera superficie de lado ancho (2) para recibir un sustrato (6) a revestir y con una segunda superficie de lado ancho (3) que mira hacia fuera de la primera superficie de lado ancho (2), en el que la primera superficie de lado ancho (2) y la segunda superficie de lado ancho (3) presentan sendas zonas de alojamiento de sustrato (4, 5) en las que están previstos elementos de inmovilización (14, 14', 15) con los cuales se puede fijar siempre un sustrato (6) o secciones de un sustrato (6) a la superficie de lado ancho (2, 3), y en el que la zona de alojamiento de sustrato (4, 5) presenta dos primeros bordes (4') que miran uno hacia fuera de otro y unos segundos bordes (11) que se extienden transversalmente a los primeros bordes (4'), y con una sección de manipulación (7) dotada de unos salientes (12) que se proyectan más allá del respectivo segundo borde (11), caracterizado por que el portasustratos es un cuerpo plano y los salientes (12) formados por secciones de manipulación (7) adyacentes a los primeros bordes (4') son secciones de guía que penetran en elementos de guía (21, 22) del reactor CVD o PVD.
A substrate carrier is configured to be arranged in a CVD or PVD reactor, in particular for the deposition of carbon nanotubes or graphene. The substrate carrier has a first broadside surface and a second broadside surface facing away from the first broad-side surface. The first broadside surface and the second broadside surface of the substrate carrier each have a substrate accommodation zone. Fastening elements are provided within each of the substrate accommodation zones to secure a substrate or sections of a substrate to one or more of the broadside surfaces. A CVD reactor is further configured to receive the substrate carrier. |
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A substrate carrier is configured to be arranged in a CVD or PVD reactor, in particular for the deposition of carbon nanotubes or graphene. The substrate carrier has a first broadside surface and a second broadside surface facing away from the first broad-side surface. The first broadside surface and the second broadside surface of the substrate carrier each have a substrate accommodation zone. Fastening elements are provided within each of the substrate accommodation zones to secure a substrate or sections of a substrate to one or more of the broadside surfaces. A CVD reactor is further configured to receive the substrate carrier.</description><language>spa</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; COMPOUNDS THEREOF ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; INORGANIC CHEMISTRY ; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES ; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES ; METALLURGY ; NANOTECHNOLOGY ; NON-METALLIC ELEMENTS ; PERFORMING OPERATIONS ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION ; TRANSPORTING</subject><creationdate>2020</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20200520&DB=EPODOC&CC=ES&NR=2761565T3$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25543,76293</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20200520&DB=EPODOC&CC=ES&NR=2761565T3$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>TEO, Kenneth B. K</creatorcontrib><creatorcontrib>JOUVRAY, Alexandre</creatorcontrib><creatorcontrib>RUPESINGHE, Nalin L</creatorcontrib><creatorcontrib>RIPPINGTON, David Eric</creatorcontrib><title>Portasustratos portador de un sustrato en cada uno de sus dos lados anchos que miran uno hacia fuera de otro</title><description>Portasustratos para disponerlo en un reactor CVD o PVD (20), especialmente para la deposición de nanotubos de carbono y grafeno, con una primera superficie de lado ancho (2) para recibir un sustrato (6) a revestir y con una segunda superficie de lado ancho (3) que mira hacia fuera de la primera superficie de lado ancho (2), en el que la primera superficie de lado ancho (2) y la segunda superficie de lado ancho (3) presentan sendas zonas de alojamiento de sustrato (4, 5) en las que están previstos elementos de inmovilización (14, 14', 15) con los cuales se puede fijar siempre un sustrato (6) o secciones de un sustrato (6) a la superficie de lado ancho (2, 3), y en el que la zona de alojamiento de sustrato (4, 5) presenta dos primeros bordes (4') que miran uno hacia fuera de otro y unos segundos bordes (11) que se extienden transversalmente a los primeros bordes (4'), y con una sección de manipulación (7) dotada de unos salientes (12) que se proyectan más allá del respectivo segundo borde (11), caracterizado por que el portasustratos es un cuerpo plano y los salientes (12) formados por secciones de manipulación (7) adyacentes a los primeros bordes (4') son secciones de guía que penetran en elementos de guía (21, 22) del reactor CVD o PVD.
A substrate carrier is configured to be arranged in a CVD or PVD reactor, in particular for the deposition of carbon nanotubes or graphene. The substrate carrier has a first broadside surface and a second broadside surface facing away from the first broad-side surface. The first broadside surface and the second broadside surface of the substrate carrier each have a substrate accommodation zone. Fastening elements are provided within each of the substrate accommodation zones to secure a substrate or sections of a substrate to one or more of the broadside surfaces. A CVD reactor is further configured to receive the substrate carrier.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>COMPOUNDS THEREOF</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>INORGANIC CHEMISTRY</subject><subject>MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES</subject><subject>MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>NANOTECHNOLOGY</subject><subject>NON-METALLIC ELEMENTS</subject><subject>PERFORMING OPERATIONS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><subject>TRANSPORTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2020</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNiz0OwjAUg7swIOAOjwMwQNVyAFTEiET2ykpe1UohL-Tn_iQIdhZbtj-vG3uXkBBzTAFJIvkajQQyTNnRbyB2pGFQOqlT6ckU3KIqnJ6LvTLTcwlwH2qGXkBT5oD6kBRk26wm2Mi7r2-a_XVQl9uBvYwcPTQ7TuPwOJ37Y9d3SrXtP8wbDn5BwA</recordid><startdate>20200520</startdate><enddate>20200520</enddate><creator>TEO, Kenneth B. 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A substrate carrier is configured to be arranged in a CVD or PVD reactor, in particular for the deposition of carbon nanotubes or graphene. The substrate carrier has a first broadside surface and a second broadside surface facing away from the first broad-side surface. The first broadside surface and the second broadside surface of the substrate carrier each have a substrate accommodation zone. Fastening elements are provided within each of the substrate accommodation zones to secure a substrate or sections of a substrate to one or more of the broadside surfaces. A CVD reactor is further configured to receive the substrate carrier.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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