PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE SUPERCONDUCTORES DE ALTA TEMPERATURA CRITICA ALTAMENTE TEXTURADOS EN FORMA DE BANDA

Procedimiento para la producción de HTSL en forma de banda a partir de un sustrato metálico, al menos una capa tampón de óxido de circonio estabilizado con ytrio o circonato de gadolinio u óxido de ytrio o aluminato de lantano o circonato de lantano o titanato de estroncio u óxido de níquel u óxido de cerio o manganato de lantano o rutenato de estroncio, y un HTSL dispuesto sobre la capa tampón, que incluye los siguientes pasos: a) preparación de una solución de revestimiento que contiene un disolvente polar con al menos un grupo hidroxilo libre; b) aplicación de la solución de revestimiento sobre el sustrato metálico; c) secado; d) producción de la capa tampón mediante tratamiento de recocido; y e) aplicación de una capa de HTSL sobre la capa tampón; caracterizado porque como disolvente polar se utiliza ácido propiónico. The formation of band-shaped HTSL on a metal substrate is disclosed. The HTSL includes at least one buffer layer comprising zirconates and/or rare-earth oxides. The HTSL layer is formed on the buffer layer. The buffer layer has a texturing that in the case of a RHEED measurement results in discrete reflexes and not only in diffraction rings. In particular, the buffer layer may be textured along its interface with the HTSL layer.