METHOD FOR PRODUCING A SINGLE CRYSTAL MADE OF SILICON

Verfahren zum Herstellen eines Einkristalls aus Silicium, umfassend: den Einbau eines Vorratsstabes aus Silicium in eine Vorrichtung zum Zonen-ziehen, wobei der Vorratsstab einen Durchmesser von nicht weniger als 230 mm und nicht mehr als 270 mm aufweist, den Einbau eines ersten Hohlzylinders mit ei...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Surovovs, Maksims, Ratnieks, Gundars, Sattler, Andreas, Häckl, Walter, Virbulis, Janis
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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