METHOD FOR PRODUCING A SINGLE CRYSTAL MADE OF SILICON

Verfahren zum Herstellen eines Einkristalls aus Silicium, umfassend: den Einbau eines Vorratsstabes aus Silicium in eine Vorrichtung zum Zonen-ziehen, wobei der Vorratsstab einen Durchmesser von nicht weniger als 230 mm und nicht mehr als 270 mm aufweist, den Einbau eines ersten Hohlzylinders mit einer Unterkante und einem Innen-durchmesser, der um nicht weniger als 30 mm und nicht mehr als 50 mm größer ist als der Durchmesser des Vorratsstabs, den Einbau eines zweiten Hohlzylinders mit einer Oberkante und einem Innen-durchmesser, der um nicht weniger als 20 mm und nicht mehr als 60 mm größer und ist als der Zieldurchmesser des Einkristalls, Ziehen eines zylindrischen Teiles des Einkristalls, der einen Zieldurchmesser von nicht weniger als 290 mm und nicht mehr als 310 mm aufweist, wobei der Vorratsstab an der Abschmelzfront eine äußere Abschmelzkante bildet und der monokristalline Stab an der Wachstumsseite eine Kristallisations-kante bildet, wobei die Ziehgeschwindigkeit nicht weniger als 1,3 mm/min und nicht mehr als 1,5 mm/min, bevorzugt nicht weniger als 1,35 mm/min und nicht mehr als 1,45 mm/min beträgt, wobei der vertikale Abstand der Unterkante des ersten Hohlzylinders von der äußeren Abschmelzkante kleiner ist als 2 mm und die Oberkante des zweiten Zylinders nicht weniger als 1 mm und nicht mehr als 10 mm über der Kristallisationskante hinausragt. A process produces a single crystal of silicon. The process includes: installing a feed rod in a float-zone apparatus, having a diameter between 230-270 mm; installing a first hollow cylinder having an internal diameter larger, by 30-50 mm, than the feed rod's diameter; installing a second hollow cylinder having an internal diameter larger, by not 20-60 mm, than a crystal target diameter that is 290-310 mm; and pulling the single crystal of silicon. A pulling speed is 1.3-1.5 mm/min. A vertical distance of the bottom edge of the first hollow cylinder from the outer melting edge is smaller than 2 mm. The top edge of the second cylinder protrudes 1-10 mm over the crystallizing edge. A length of the single crystal is removed to form an ingot piece having a length 15-50 cm.