HIGH VOLTAGE SWITCHING ASSEMBLY FOR TESTING AND DIAGNOSING OF RESOURCES USED FOR ELECTRICAL ENERGY ENGINEERING

Die Erfindung betrifft Hochspannungsschaltungsanordnungen zur Diagnose und Prüfung von Betriebsmitteln der elektrischen Energietechnik mit - wenigstens einer ein Bezugspotential und ein Spannungspotential aufweisenden Hochspannungsquelle, - einer mit dem Spannungspotential der Hochspannungsquelle ve...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: Brunner, Falk, Scheuschner, Sven, Stechemesser, Nico
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; ger
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creator Brunner, Falk
Scheuschner, Sven
Stechemesser, Nico
description Die Erfindung betrifft Hochspannungsschaltungsanordnungen zur Diagnose und Prüfung von Betriebsmitteln der elektrischen Energietechnik mit - wenigstens einer ein Bezugspotential und ein Spannungspotential aufweisenden Hochspannungsquelle, - einer mit dem Spannungspotential der Hochspannungsquelle verbundenen Schalteinrichtung in Verbindung mit einer Reihenschaltung aus einem Schutzwiderstand und einer Umschwingdrossel, - dem mit der Umschwingdrossel und dem Bezugspotential zusammengeschalteten Betriebsmittel und - einer Umschwingschalteranordnung zwischen der Verbindung des Schutzwiderstands mit der Umschwingdrossel und dem Bezugspotential. Die Hochspannungsschaltungsanordnungen zeichnen sich insbesondere durch eine einfache Schaltungsanordnung zum Schalten der relativ hohen Umschwingströme aus. Dazu besteht die Umschwingschalteranordnung aus einer in Reihe geschalteten Kaskade von Hochspannungsschaltsegmenten. Das Hochspannungsschaltsegment weist zur Kommutierung zwei Brückenzweige mit Dioden zur Nennstromübernahme und wenigstens einen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT - insulated-gate bipolar transistor) zur Nennstromübernahme auf. Weiterhin sind die Gate-Elektroden der Bipolartransistoren mit einer Gate-Ansteuerung verbunden.
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Die Hochspannungsschaltungsanordnungen zeichnen sich insbesondere durch eine einfache Schaltungsanordnung zum Schalten der relativ hohen Umschwingströme aus. Dazu besteht die Umschwingschalteranordnung aus einer in Reihe geschalteten Kaskade von Hochspannungsschaltsegmenten. Das Hochspannungsschaltsegment weist zur Kommutierung zwei Brückenzweige mit Dioden zur Nennstromübernahme und wenigstens einen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT - insulated-gate bipolar transistor) zur Nennstromübernahme auf. 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