Plasma treatment method

A plasma treatment method (400) for etching a portion (112) of an isolating layer (106) present on a surface (110) of an opening in a semiconductor structure (100) is provided. The method (400) comprising: providing (402) a semiconductor structure (100) comprising an opening (102) in an external sur...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	PARASCHIV, VASILE, BEYNE, ERIC, BABAEI GAVAN, KHASHAYAR, XU, KAIDONG
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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