THERMAL DOPING BY VACANCY FORMATION IN NANOCRYSTALS

The invention generally relates to methods of thermal doping by vacancy formation in nanocrystals, devices and uses thereof.

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	VINOKUROV, Kathy, BEKENSTEIN, Yehonadav, MILLO, Oded, BANIN, Uri
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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