3 level power converter half bridge
Die Erfindung betrifft eine 3-Level-Stromrichterhalbbrücke mit einem ersten Substrat (2) und einem vom ersten Substrat (2) getrennt angeordneten zweiten Substrat (3), wobei die Leistungshalbleiterschalter (T1,T2,T3,T4) und Dioden (D1,D2,D3,D4) der 3-Level-Stromrichterhalbbrücke (1) derart auf ein er...
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| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre ; ger |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
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| creator | STAUDT, INGO |
| description | Die Erfindung betrifft eine 3-Level-Stromrichterhalbbrücke mit einem ersten Substrat (2) und einem vom ersten Substrat (2) getrennt angeordneten zweiten Substrat (3), wobei die Leistungshalbleiterschalter (T1,T2,T3,T4) und Dioden (D1,D2,D3,D4) der 3-Level-Stromrichterhalbbrücke (1) derart auf ein erstes Substrat (2) und auf ein zweites Substrat (3) aufgeteilt sind, dass beim bevorzugten Betrieb der 3-Level-Stromrichterhalbbrücke (1) mit einem hohen Leistungsfaktor keine oder nur selten Stromkommutierungen zwischen den Leistungshalbleiterschaltern (T1,T2) und Dioden (D1,D3), die auf dem ersten Substrat (2) angeordnet sind und den Leistungshalbleiterschaltern (T3,T4) und Dioden (D2,D4), die auf dem zweiten Substrat (3) angeordnet sind, auftreten. Die Erfindung schafft eine 3-Level Stromrichterhalbbrücke (1) mit reduzierten Schaltüberspannungen.
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a half bridge for a 3-level power conversion device, reduced in switching overvoltage.SOLUTION: In a half bridge for a 3-level power conversion device, power semiconductor switches T1, T2, T3, T4 and diodes D1, D2, D3, D4 of a half bridge 1 are divided into a first substrate 2 and a second substrate 3 so that the following situation is achieved. Namely, the power semiconductor switches and the diodes are divided so as to achieve a situation where the commutation of electric current does not wholly occur or does not almost occur between the power semiconductor switches T1, T2 and the diodes D1, D3 disposed on the first substrate 2 and the power semiconductor switches T3, T4 and the diodes D2, D4 disposed on the second substrate 3 during a preferable operation of the half bridge 1 for a 3-level power conversion device having a high power factor. |
| format | Patent |
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PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a half bridge for a 3-level power conversion device, reduced in switching overvoltage.SOLUTION: In a half bridge for a 3-level power conversion device, power semiconductor switches T1, T2, T3, T4 and diodes D1, D2, D3, D4 of a half bridge 1 are divided into a first substrate 2 and a second substrate 3 so that the following situation is achieved. Namely, the power semiconductor switches and the diodes are divided so as to achieve a situation where the commutation of electric current does not wholly occur or does not almost occur between the power semiconductor switches T1, T2 and the diodes D1, D3 disposed on the first substrate 2 and the power semiconductor switches T3, T4 and the diodes D2, D4 disposed on the second substrate 3 during a preferable operation of the half bridge 1 for a 3-level power conversion device having a high power factor.</description><language>eng ; fre ; ger</language><subject>APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC,OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWERSUPPLY SYSTEMS ; BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CONTROL OR REGULATION THEREOF ; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUTPOWER ; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; GENERATION ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2014</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20141119&DB=EPODOC&CC=EP&NR=2804307A2$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20141119&DB=EPODOC&CC=EP&NR=2804307A2$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>STAUDT, INGO</creatorcontrib><title>3 level power converter half bridge</title><description>Die Erfindung betrifft eine 3-Level-Stromrichterhalbbrücke mit einem ersten Substrat (2) und einem vom ersten Substrat (2) getrennt angeordneten zweiten Substrat (3), wobei die Leistungshalbleiterschalter (T1,T2,T3,T4) und Dioden (D1,D2,D3,D4) der 3-Level-Stromrichterhalbbrücke (1) derart auf ein erstes Substrat (2) und auf ein zweites Substrat (3) aufgeteilt sind, dass beim bevorzugten Betrieb der 3-Level-Stromrichterhalbbrücke (1) mit einem hohen Leistungsfaktor keine oder nur selten Stromkommutierungen zwischen den Leistungshalbleiterschaltern (T1,T2) und Dioden (D1,D3), die auf dem ersten Substrat (2) angeordnet sind und den Leistungshalbleiterschaltern (T3,T4) und Dioden (D2,D4), die auf dem zweiten Substrat (3) angeordnet sind, auftreten. Die Erfindung schafft eine 3-Level Stromrichterhalbbrücke (1) mit reduzierten Schaltüberspannungen.
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a half bridge for a 3-level power conversion device, reduced in switching overvoltage.SOLUTION: In a half bridge for a 3-level power conversion device, power semiconductor switches T1, T2, T3, T4 and diodes D1, D2, D3, D4 of a half bridge 1 are divided into a first substrate 2 and a second substrate 3 so that the following situation is achieved. Namely, the power semiconductor switches and the diodes are divided so as to achieve a situation where the commutation of electric current does not wholly occur or does not almost occur between the power semiconductor switches T1, T2 and the diodes D1, D3 disposed on the first substrate 2 and the power semiconductor switches T3, T4 and the diodes D2, D4 disposed on the second substrate 3 during a preferable operation of the half bridge 1 for a 3-level power conversion device having a high power factor.</description><subject>APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC,OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWERSUPPLY SYSTEMS</subject><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CONTROL OR REGULATION THEREOF</subject><subject>CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUTPOWER</subject><subject>CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>GENERATION</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2014</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZFA2VshJLUvNUSjIL08tUkjOzytLLSoBsjISc9IUkooyU9JTeRhY0xJzilN5oTQ3g4Kba4izh25qQX58anFBYnJqXmpJvGuAkYWBibGBuaORMRFKAGpPJZw</recordid><startdate>20141119</startdate><enddate>20141119</enddate><creator>STAUDT, INGO</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20141119</creationdate><title>3 level power converter half bridge</title><author>STAUDT, INGO</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_EP2804307A23</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; ger</language><creationdate>2014</creationdate><topic>APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC,OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWERSUPPLY SYSTEMS</topic><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CONTROL OR REGULATION THEREOF</topic><topic>CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUTPOWER</topic><topic>CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>GENERATION</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>STAUDT, INGO</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>STAUDT, INGO</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>3 level power converter half bridge</title><date>2014-11-19</date><risdate>2014</risdate><abstract>Die Erfindung betrifft eine 3-Level-Stromrichterhalbbrücke mit einem ersten Substrat (2) und einem vom ersten Substrat (2) getrennt angeordneten zweiten Substrat (3), wobei die Leistungshalbleiterschalter (T1,T2,T3,T4) und Dioden (D1,D2,D3,D4) der 3-Level-Stromrichterhalbbrücke (1) derart auf ein erstes Substrat (2) und auf ein zweites Substrat (3) aufgeteilt sind, dass beim bevorzugten Betrieb der 3-Level-Stromrichterhalbbrücke (1) mit einem hohen Leistungsfaktor keine oder nur selten Stromkommutierungen zwischen den Leistungshalbleiterschaltern (T1,T2) und Dioden (D1,D3), die auf dem ersten Substrat (2) angeordnet sind und den Leistungshalbleiterschaltern (T3,T4) und Dioden (D2,D4), die auf dem zweiten Substrat (3) angeordnet sind, auftreten. Die Erfindung schafft eine 3-Level Stromrichterhalbbrücke (1) mit reduzierten Schaltüberspannungen.
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