3 level power converter half bridge
The half-bridge (1) has load current terminals (C) of first and second power semiconductor switches (T1, T3) electrically conductively connected with respective cathode and anode terminals of a diode arrangement (11). Other load current terminals (E) of third and fourth power semiconductor switches...
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| Hauptverfasser: | , |
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre ; ger |
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| creator | WINTRICH, ARENDT STAUDT, INGO |
| description | The half-bridge (1) has load current terminals (C) of first and second power semiconductor switches (T1, T3) electrically conductively connected with respective cathode and anode terminals of a diode arrangement (11). Other load current terminals (E) of third and fourth power semiconductor switches (T2, T4) are electrically conductively connected with one of the former load current terminals of the second switch, and another anode terminal of another diode arrangement (10), respectively. An anode of a diode (D1) is electrically conductively connected with a cathode of another diode (D2). The power semiconductor switches are insulated gate bipolar transistors.
Die Erfindung betrifft ein 3-Level-Stromrichterhalbbrücke mit einem ersten Substrat (2) und einem vom ersten Substrat (2) getrennt angeordneten zweiten Substrat (3), wobei das erste Substrat (2) einen ersten Isolierstoffkörper (6a) und eine auf dem ersten Isolierstoffkörper (6a) angeordnete elektrisch leitende strukturierte erste Leitungsschicht (7a) aufweist, wobei auf der strukturierten ersten Leitungsschicht (7a) ein erster Leistungshalbleiterschalter (T1), ein zweiter Leistungshalbleiterschalter (T2), eine erste Diode (D1) und eine erste Diodenanordnung (10) angeordnet sind und mit der strukturierten ersten Leitungsschicht (7a) verbunden sind,
wobei das zweite Substrat (3) einen zweiten Isolierstoffkörper (6b) und eine auf dem zweiten Isolierstoffkörper (6b) angeordnete elektrisch leitende strukturierte zweite Leitungsschicht (7b) aufweist,
wobei auf der strukturierten zweiten Leitungsschicht (7b) ein dritter Leistungshalbleiterschalter (T3), ein vierter Leistungshalbleiterschalter (T4), eine zweite Diode (D2) und eine zweite Diodenanordnung (11) angeordnet sind und mit der strukturierten zweiten Leitungsschicht (7b) verbunden sind. Die Erfindung schafft einen 3-Level Stromrichterhalbbrücke (1,1') mit reduzierten Schaltüberspannungen. |
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Die Erfindung betrifft ein 3-Level-Stromrichterhalbbrücke mit einem ersten Substrat (2) und einem vom ersten Substrat (2) getrennt angeordneten zweiten Substrat (3), wobei das erste Substrat (2) einen ersten Isolierstoffkörper (6a) und eine auf dem ersten Isolierstoffkörper (6a) angeordnete elektrisch leitende strukturierte erste Leitungsschicht (7a) aufweist, wobei auf der strukturierten ersten Leitungsschicht (7a) ein erster Leistungshalbleiterschalter (T1), ein zweiter Leistungshalbleiterschalter (T2), eine erste Diode (D1) und eine erste Diodenanordnung (10) angeordnet sind und mit der strukturierten ersten Leitungsschicht (7a) verbunden sind,
wobei das zweite Substrat (3) einen zweiten Isolierstoffkörper (6b) und eine auf dem zweiten Isolierstoffkörper (6b) angeordnete elektrisch leitende strukturierte zweite Leitungsschicht (7b) aufweist,
wobei auf der strukturierten zweiten Leitungsschicht (7b) ein dritter Leistungshalbleiterschalter (T3), ein vierter Leistungshalbleiterschalter (T4), eine zweite Diode (D2) und eine zweite Diodenanordnung (11) angeordnet sind und mit der strukturierten zweiten Leitungsschicht (7b) verbunden sind. Die Erfindung schafft einen 3-Level Stromrichterhalbbrücke (1,1') mit reduzierten Schaltüberspannungen.</description><language>eng ; fre ; ger</language><subject>APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC,OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWERSUPPLY SYSTEMS ; BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CONTROL OR REGULATION THEREOF ; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUTPOWER ; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; GENERATION ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2014</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20140402&DB=EPODOC&CC=EP&NR=2713394A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20140402&DB=EPODOC&CC=EP&NR=2713394A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>WINTRICH, ARENDT</creatorcontrib><creatorcontrib>STAUDT, INGO</creatorcontrib><title>3 level power converter half bridge</title><description>The half-bridge (1) has load current terminals (C) of first and second power semiconductor switches (T1, T3) electrically conductively connected with respective cathode and anode terminals of a diode arrangement (11). Other load current terminals (E) of third and fourth power semiconductor switches (T2, T4) are electrically conductively connected with one of the former load current terminals of the second switch, and another anode terminal of another diode arrangement (10), respectively. An anode of a diode (D1) is electrically conductively connected with a cathode of another diode (D2). The power semiconductor switches are insulated gate bipolar transistors.
Die Erfindung betrifft ein 3-Level-Stromrichterhalbbrücke mit einem ersten Substrat (2) und einem vom ersten Substrat (2) getrennt angeordneten zweiten Substrat (3), wobei das erste Substrat (2) einen ersten Isolierstoffkörper (6a) und eine auf dem ersten Isolierstoffkörper (6a) angeordnete elektrisch leitende strukturierte erste Leitungsschicht (7a) aufweist, wobei auf der strukturierten ersten Leitungsschicht (7a) ein erster Leistungshalbleiterschalter (T1), ein zweiter Leistungshalbleiterschalter (T2), eine erste Diode (D1) und eine erste Diodenanordnung (10) angeordnet sind und mit der strukturierten ersten Leitungsschicht (7a) verbunden sind,
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Die Erfindung betrifft ein 3-Level-Stromrichterhalbbrücke mit einem ersten Substrat (2) und einem vom ersten Substrat (2) getrennt angeordneten zweiten Substrat (3), wobei das erste Substrat (2) einen ersten Isolierstoffkörper (6a) und eine auf dem ersten Isolierstoffkörper (6a) angeordnete elektrisch leitende strukturierte erste Leitungsschicht (7a) aufweist, wobei auf der strukturierten ersten Leitungsschicht (7a) ein erster Leistungshalbleiterschalter (T1), ein zweiter Leistungshalbleiterschalter (T2), eine erste Diode (D1) und eine erste Diodenanordnung (10) angeordnet sind und mit der strukturierten ersten Leitungsschicht (7a) verbunden sind,
wobei das zweite Substrat (3) einen zweiten Isolierstoffkörper (6b) und eine auf dem zweiten Isolierstoffkörper (6b) angeordnete elektrisch leitende strukturierte zweite Leitungsschicht (7b) aufweist,
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