Bidirectional power semiconductor device
Ein bidirektional leitendes und sperrendes Leistungshalbleiterbauelement (1) wird dadurch gebildet, dass ein erster und zweiter Thyristor (2) in entgegengesetzter Polung in Serie geschaltet sind und antiparallel zu den Thyristoren je eine Diode (3) vorgesehen ist. Die beiden Gates (6) sind miteinand...
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| Hauptverfasser: | , |
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre ; ger |
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| Zusammenfassung: | Ein bidirektional leitendes und sperrendes Leistungshalbleiterbauelement (1) wird dadurch gebildet, dass ein erster und zweiter Thyristor (2) in entgegengesetzter Polung in Serie geschaltet sind und antiparallel zu den Thyristoren je eine Diode (3) vorgesehen ist. Die beiden Gates (6) sind miteinander verbunden und bilden einen gemeinsamen Steueranschluss (7). Das auf diese Weise gebildete Bauelement kann in einem gemeinsamen Gehäuse (9) integriert werden.
The bidirectional power semiconductor has a pair of thyristors (2) of opposite polarity that have a cathode (5), an anode (4) and a gate (6). The thyristors are switched in series and a diode (3) is coupled anti-parallel between the gates (6) to a common control terminal. The cathodes connect to an auxiliary cathode connection (14). |
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