Semiconductor structure for resistive networks
Eine Halbleiterstruktur (1) zur Schaffung von Widerstands-netzwerken, insbesondere von Kettenleiteranordnungen, weist aus Halbleitermaterial bestehende Widerstandsabschnitte sowie metallische Anschlußstellen auf. Dabei ist eine durchgehende Widerstandshalbleiterbahn als Hauptzweig (2) vorgesehen. En...
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Format: | Patent |
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creator | GREITSCHUS, NORBERT ZIMMER, HANS-GUENTER. DR |
description | Eine Halbleiterstruktur (1) zur Schaffung von Widerstands-netzwerken, insbesondere von Kettenleiteranordnungen, weist aus Halbleitermaterial bestehende Widerstandsabschnitte sowie metallische Anschlußstellen auf. Dabei ist eine durchgehende Widerstandshalbleiterbahn als Hauptzweig (2) vorgesehen. Entlang dieses durchgehenden Hauptzweiges (2) sind entsprechend dem gewünschten Widerstandsteilerverhältnisses und zur Bildung entsprechender Reihenwiderstände (10) seitlich an der Widerstandshalbleiterbahn kontaktierte, metallische Anschlußstellen (7) vorgesehen. Zusätzlich können bei einem insbesondere als Kettenleiteranordnung ausgebildeten Widerstandsnetzwerk Widerstands-halbleiterbahnen als Querzweige (3) jeweils an ihrem einen Ende direkt über das Halbleitermaterial mit der Längsseite des Hauptzweiges (2) verbunden sein. An dem anderen Ende der Querzweige (3) ist jeweils eine metallische Anschlußstelle (7) vorgesehen (Figur 1).
The semiconductor structure is for creating resistor networks, especially chain conductor arrangements. The structure has resistor sections made of semiconductor material and metallic contact sites. A continuous resistor section of semiconductor material is provided as the main branch (2). First metallic contact sites (5) are arranged along the main branch according to the desired resistance divider ratio, to form corresponding series resistors. The contact sites are electrically connected to the lengthways side of the main branch. |
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The semiconductor structure is for creating resistor networks, especially chain conductor arrangements. The structure has resistor sections made of semiconductor material and metallic contact sites. A continuous resistor section of semiconductor material is provided as the main branch (2). First metallic contact sites (5) are arranged along the main branch according to the desired resistance divider ratio, to form corresponding series resistors. The contact sites are electrically connected to the lengthways side of the main branch.</description><edition>6</edition><language>eng ; fre ; ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>1997</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19970716&DB=EPODOC&CC=EP&NR=0784344A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76516</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19970716&DB=EPODOC&CC=EP&NR=0784344A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>GREITSCHUS, NORBERT</creatorcontrib><creatorcontrib>ZIMMER, HANS-GUENTER. DR</creatorcontrib><title>Semiconductor structure for resistive networks</title><description>Eine Halbleiterstruktur (1) zur Schaffung von Widerstands-netzwerken, insbesondere von Kettenleiteranordnungen, weist aus Halbleitermaterial bestehende Widerstandsabschnitte sowie metallische Anschlußstellen auf. Dabei ist eine durchgehende Widerstandshalbleiterbahn als Hauptzweig (2) vorgesehen. Entlang dieses durchgehenden Hauptzweiges (2) sind entsprechend dem gewünschten Widerstandsteilerverhältnisses und zur Bildung entsprechender Reihenwiderstände (10) seitlich an der Widerstandshalbleiterbahn kontaktierte, metallische Anschlußstellen (7) vorgesehen. Zusätzlich können bei einem insbesondere als Kettenleiteranordnung ausgebildeten Widerstandsnetzwerk Widerstands-halbleiterbahnen als Querzweige (3) jeweils an ihrem einen Ende direkt über das Halbleitermaterial mit der Längsseite des Hauptzweiges (2) verbunden sein. An dem anderen Ende der Querzweige (3) ist jeweils eine metallische Anschlußstelle (7) vorgesehen (Figur 1).
The semiconductor structure is for creating resistor networks, especially chain conductor arrangements. The structure has resistor sections made of semiconductor material and metallic contact sites. A continuous resistor section of semiconductor material is provided as the main branch (2). First metallic contact sites (5) are arranged along the main branch according to the desired resistance divider ratio, to form corresponding series resistors. The contact sites are electrically connected to the lengthways side of the main branch.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>1997</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZNALTs3NTM7PSylNLskvUiguKQIySotSFdKAvKLU4sziksyyVIW81JLy_KLsYh4G1rTEnOJUXijNzaDg5hri7KGbWpAfn1pckJicClQa7xpgYG5hYmxi4mhoTIQSABVmKys</recordid><startdate>19970716</startdate><enddate>19970716</enddate><creator>GREITSCHUS, NORBERT</creator><creator>ZIMMER, HANS-GUENTER. DR</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>19970716</creationdate><title>Semiconductor structure for resistive networks</title><author>GREITSCHUS, NORBERT ; ZIMMER, HANS-GUENTER. DR</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_EP0784344A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; ger</language><creationdate>1997</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>GREITSCHUS, NORBERT</creatorcontrib><creatorcontrib>ZIMMER, HANS-GUENTER. DR</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>GREITSCHUS, NORBERT</au><au>ZIMMER, HANS-GUENTER. DR</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Semiconductor structure for resistive networks</title><date>1997-07-16</date><risdate>1997</risdate><abstract>Eine Halbleiterstruktur (1) zur Schaffung von Widerstands-netzwerken, insbesondere von Kettenleiteranordnungen, weist aus Halbleitermaterial bestehende Widerstandsabschnitte sowie metallische Anschlußstellen auf. Dabei ist eine durchgehende Widerstandshalbleiterbahn als Hauptzweig (2) vorgesehen. Entlang dieses durchgehenden Hauptzweiges (2) sind entsprechend dem gewünschten Widerstandsteilerverhältnisses und zur Bildung entsprechender Reihenwiderstände (10) seitlich an der Widerstandshalbleiterbahn kontaktierte, metallische Anschlußstellen (7) vorgesehen. Zusätzlich können bei einem insbesondere als Kettenleiteranordnung ausgebildeten Widerstandsnetzwerk Widerstands-halbleiterbahnen als Querzweige (3) jeweils an ihrem einen Ende direkt über das Halbleitermaterial mit der Längsseite des Hauptzweiges (2) verbunden sein. An dem anderen Ende der Querzweige (3) ist jeweils eine metallische Anschlußstelle (7) vorgesehen (Figur 1).
The semiconductor structure is for creating resistor networks, especially chain conductor arrangements. The structure has resistor sections made of semiconductor material and metallic contact sites. A continuous resistor section of semiconductor material is provided as the main branch (2). First metallic contact sites (5) are arranged along the main branch according to the desired resistance divider ratio, to form corresponding series resistors. The contact sites are electrically connected to the lengthways side of the main branch.</abstract><edition>6</edition><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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