Process and device for making crystals by levitation on gas film
Growth of crystals comprises using a medium and supporting them on a gas film. L'invention concerne un procédé d'élaboration de cristaux par sustentation sur film de gaz ainsi qu'un dispositif pour la mise en oeuvre de ce procédé. Le but de l'invention est essentiellement d'...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre ; ger |
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| creator | PARAYRE, CLAUDE FONTECILLA, JUAN BANCILLON, JACKY KERNEVEZ, NELLY |
| description | Growth of crystals comprises using a medium and supporting them on a gas film.
L'invention concerne un procédé d'élaboration de cristaux par sustentation sur film de gaz ainsi qu'un dispositif pour la mise en oeuvre de ce procédé. Le but de l'invention est essentiellement d'obtenir des cristaux présentant une taille, une forme et une qualité suffisantes, afin notamment de permettre l'étude de leurs structure. Ce but est atteint, selon l'invention par un procédé d'élaboration d'au moins un cristal caractérisé en ce que ledit cristal est élaboré dans un milieu tel qu'une goutte de solution mis en sustentation sur un film de gaz. Le procédé peut être notamment appliqué à l'étude de la structure de molécules organiques et/ou biologiques ou peut être utilisé comme technique séparative par cristallisation fractionnée. |
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L'invention concerne un procédé d'élaboration de cristaux par sustentation sur film de gaz ainsi qu'un dispositif pour la mise en oeuvre de ce procédé. Le but de l'invention est essentiellement d'obtenir des cristaux présentant une taille, une forme et une qualité suffisantes, afin notamment de permettre l'étude de leurs structure. Ce but est atteint, selon l'invention par un procédé d'élaboration d'au moins un cristal caractérisé en ce que ledit cristal est élaboré dans un milieu tel qu'une goutte de solution mis en sustentation sur un film de gaz. Le procédé peut être notamment appliqué à l'étude de la structure de molécules organiques et/ou biologiques ou peut être utilisé comme technique séparative par cristallisation fractionnée.</description><edition>6</edition><language>eng ; fre ; ger</language><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE ; APPARATUS THEREFOR ; CHEMISTRY ; CRYSTAL GROWTH ; METALLURGY ; PERFORMING OPERATIONS ; PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL ; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL ; SEPARATION ; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH ; TRANSPORTING ; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><creationdate>1997</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19970625&DB=EPODOC&CC=EP&NR=0780497A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,309,781,886,25569,76552</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19970625&DB=EPODOC&CC=EP&NR=0780497A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>PARAYRE, CLAUDE</creatorcontrib><creatorcontrib>FONTECILLA, JUAN</creatorcontrib><creatorcontrib>BANCILLON, JACKY</creatorcontrib><creatorcontrib>KERNEVEZ, NELLY</creatorcontrib><title>Process and device for making crystals by levitation on gas film</title><description>Growth of crystals comprises using a medium and supporting them on a gas film.
L'invention concerne un procédé d'élaboration de cristaux par sustentation sur film de gaz ainsi qu'un dispositif pour la mise en oeuvre de ce procédé. Le but de l'invention est essentiellement d'obtenir des cristaux présentant une taille, une forme et une qualité suffisantes, afin notamment de permettre l'étude de leurs structure. Ce but est atteint, selon l'invention par un procédé d'élaboration d'au moins un cristal caractérisé en ce que ledit cristal est élaboré dans un milieu tel qu'une goutte de solution mis en sustentation sur un film de gaz. Le procédé peut être notamment appliqué à l'étude de la structure de molécules organiques et/ou biologiques ou peut être utilisé comme technique séparative par cristallisation fractionnée.</description><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</subject><subject>APPARATUS THEREFOR</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>CRYSTAL GROWTH</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>PERFORMING OPERATIONS</subject><subject>PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL</subject><subject>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</subject><subject>SEPARATION</subject><subject>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</subject><subject>TRANSPORTING</subject><subject>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>1997</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZHAIKMpPTi0uVkjMS1FISS3LTE5VSMsvUshNzM7MS1dILqosLknMKVZIqlTIAcqWJJZk5ucpAFF6YrFCWmZOLg8DaxpQQSovlOZmUHBzDXH20E0tyI9PLS5ITE7NSy2Jdw0wMLcwMLE0dzQ0JkIJAEf4MKQ</recordid><startdate>19970625</startdate><enddate>19970625</enddate><creator>PARAYRE, CLAUDE</creator><creator>FONTECILLA, JUAN</creator><creator>BANCILLON, JACKY</creator><creator>KERNEVEZ, NELLY</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>19970625</creationdate><title>Process and device for making crystals by levitation on gas film</title><author>PARAYRE, CLAUDE ; FONTECILLA, JUAN ; BANCILLON, JACKY ; KERNEVEZ, NELLY</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_EP0780497A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; ger</language><creationdate>1997</creationdate><topic>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</topic><topic>APPARATUS THEREFOR</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>CRYSTAL GROWTH</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>PERFORMING OPERATIONS</topic><topic>PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL</topic><topic>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</topic><topic>SEPARATION</topic><topic>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</topic><topic>TRANSPORTING</topic><topic>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>PARAYRE, CLAUDE</creatorcontrib><creatorcontrib>FONTECILLA, JUAN</creatorcontrib><creatorcontrib>BANCILLON, JACKY</creatorcontrib><creatorcontrib>KERNEVEZ, NELLY</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>PARAYRE, CLAUDE</au><au>FONTECILLA, JUAN</au><au>BANCILLON, JACKY</au><au>KERNEVEZ, NELLY</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Process and device for making crystals by levitation on gas film</title><date>1997-06-25</date><risdate>1997</risdate><abstract>Growth of crystals comprises using a medium and supporting them on a gas film.
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