Process and device for making crystals by levitation on gas film

Growth of crystals comprises using a medium and supporting them on a gas film. L'invention concerne un procédé d'élaboration de cristaux par sustentation sur film de gaz ainsi qu'un dispositif pour la mise en oeuvre de ce procédé. Le but de l'invention est essentiellement d'...

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Hauptverfasser: PARAYRE, CLAUDE, FONTECILLA, JUAN, BANCILLON, JACKY, KERNEVEZ, NELLY
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Growth of crystals comprises using a medium and supporting them on a gas film. L'invention concerne un procédé d'élaboration de cristaux par sustentation sur film de gaz ainsi qu'un dispositif pour la mise en oeuvre de ce procédé. Le but de l'invention est essentiellement d'obtenir des cristaux présentant une taille, une forme et une qualité suffisantes, afin notamment de permettre l'étude de leurs structure. Ce but est atteint, selon l'invention par un procédé d'élaboration d'au moins un cristal caractérisé en ce que ledit cristal est élaboré dans un milieu tel qu'une goutte de solution mis en sustentation sur un film de gaz. Le procédé peut être notamment appliqué à l'étude de la structure de molécules organiques et/ou biologiques ou peut être utilisé comme technique séparative par cristallisation fractionnée.