Monolithic integrated device of PIN diode and field effect transistor and method of manufacturing the same

Die Erfindung betrifft eine integrierte Anordnung einer lateralen PIN-Diode und eines HFET oder MESFET. Die Schichtenfolge des Feldeffekttransistors besitzt eine derart geringe Schichtdicke, daß PIN-Diode und Feldeffekttransistor quasi planar angeordnet sind. Die FET-Schichtenfolge enthält eine LTG-...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	BRUGGER, HANS
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!