Particle source for reactive ion beam etching and plasma-assisted CVD processing
Teilchenquelle, insbesondere für reaktive Ionenätz- und plasmaunterstützte CVD-Verfahren in Durchlaufanlagen zur Behandlung großflächiger Substrate (4) mit einem ein erstes Plasma (19) vollständig umschließenden Behälter, einem Magnetfelderzeuger (8, 9, 10), der die Elektronen-Zyklotron-Resonanz erf...
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| creator | RITTER, JOCHEN GEGENWART, RAINER |
| description | Teilchenquelle, insbesondere für reaktive Ionenätz- und plasmaunterstützte CVD-Verfahren in Durchlaufanlagen zur Behandlung großflächiger Substrate (4) mit einem ein erstes Plasma (19) vollständig umschließenden Behälter, einem Magnetfelderzeuger (8, 9, 10), der die Elektronen-Zyklotron-Resonanz erfüllt, einem mit dem Behälter verbundenen Hohlleiter (15) für die Zuführung von elektromagnetischen Wellen, vorzugsweise Mikrowellen (17), zur Erzeugung des Plasmas (19), einem Koppelfenster (16) sowie einer Gaszuführungseinrichtung zur Versorgung des Plasmaprozesses mit Reaktiv- und beispielsweise Inertgas, wobei das erste Plasma (19) von einer Plasmakammer (17) umschlossen ist, die Innenräume der Plasmakammer (7) und der angrenzenden Vakuumkammer (2) miteinander verbunden sind, sich in der Plasmakammer (7) unmittelbar vor dem Koppelfenster (16) ein weiteres Schutzfenster (12) befindet, das einen in etwa konstanten Spalt (13) zu den Kammerwänden (7c, 7d) aufweist, eine getrennte Zuführung von beispielsweise Inertgas (11) in den Raum zwischen Koppelfenster (16) und Schutzfenster (12) sowie von Reaktivgas (6) zwischen Schutzfenster (12) und Substrat (4) erfolgt und zwischen Koppel- (16) und Schutzfenster (12) ein Zwischenplasma (18) zündbar ist. |
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fre ; ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><creationdate>1992</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19921216&DB=EPODOC&CC=EP&NR=0517999A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19921216&DB=EPODOC&CC=EP&NR=0517999A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>RITTER, JOCHEN</creatorcontrib><creatorcontrib>GEGENWART, RAINER</creatorcontrib><title>Particle source for reactive ion beam etching and plasma-assisted CVD processing</title><description>Teilchenquelle, insbesondere für reaktive Ionenätz- und plasmaunterstützte CVD-Verfahren in Durchlaufanlagen zur Behandlung großflächiger Substrate (4) mit einem ein erstes Plasma (19) vollständig umschließenden Behälter, einem Magnetfelderzeuger (8, 9, 10), der die Elektronen-Zyklotron-Resonanz erfüllt, einem mit dem Behälter verbundenen Hohlleiter (15) für die Zuführung von elektromagnetischen Wellen, vorzugsweise Mikrowellen (17), zur Erzeugung des Plasmas (19), einem Koppelfenster (16) sowie einer Gaszuführungseinrichtung zur Versorgung des Plasmaprozesses mit Reaktiv- und beispielsweise Inertgas, wobei das erste Plasma (19) von einer Plasmakammer (17) umschlossen ist, die Innenräume der Plasmakammer (7) und der angrenzenden Vakuumkammer (2) miteinander verbunden sind, sich in der Plasmakammer (7) unmittelbar vor dem Koppelfenster (16) ein weiteres Schutzfenster (12) befindet, das einen in etwa konstanten Spalt (13) zu den Kammerwänden (7c, 7d) aufweist, eine getrennte Zuführung von beispielsweise Inertgas (11) in den Raum zwischen Koppelfenster (16) und Schutzfenster (12) sowie von Reaktivgas (6) zwischen Schutzfenster (12) und Substrat (4) erfolgt und zwischen Koppel- (16) und Schutzfenster (12) ein Zwischenplasma (18) zündbar ist.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>1992</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNykEKwjAQRuFsXIh6h7lAwSIiWUqtuOxC3JZx-rcNpEnIRM-vCw_g6sHHW5uu41yceJDGVxbQGDNlsBT3BrkY6AleCEVmFybiMFDyrAtXrOq0YKDmcaGUo-ALYdqa1chesft1Y-ja3ptbhRR7aGJBQOnbbn-sT9bac334Y_kAAdI2ow</recordid><startdate>19921216</startdate><enddate>19921216</enddate><creator>RITTER, JOCHEN</creator><creator>GEGENWART, RAINER</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>19921216</creationdate><title>Particle source for reactive ion beam etching and plasma-assisted CVD processing</title><author>RITTER, JOCHEN ; 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