CHARGE NEUTRALIZATION APPARATUS FOR ION IMPLANTATION SYSTEM
Procédé et appareil de neutralisation d'une pièce à usiner (14) telle qu'une tranche à semi-conducteur dans un système, selon lequel un faisceau d'ions positifs (12) est appliqué à la pièce à usiner (14). L'appareil comprend une source d'électrons (20) qui génère un faisceau...
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| Format: | Patent |
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| creator | WILLIAMS, MALCOM, D MCKENNA, CHARLES, M LEUNG, KA-NGO KUNKEL, WULF, B |
| description | Procédé et appareil de neutralisation d'une pièce à usiner (14) telle qu'une tranche à semi-conducteur dans un système, selon lequel un faisceau d'ions positifs (12) est appliqué à la pièce à usiner (14). L'appareil comprend une source d'électrons (20) qui génère un faisceau d'électrons (22), et une unité magnétique (24) qui génère un champ magnétique de guidage du faisceau d'électrons (22) sur la pièce à usiner (14). Le chemin (22) du faisceau d'électrons comprend de préférence une première section (34) entre la source d'électrons (20) et le faisceau d'ions (12) ainsi qu'une seconde section (36) qui coïncide avec le faisceau d'ions (12). L'unité magnétique (24) génère une composante axiale du champ magnétique le long du chemin du faisceau d'électrons (22). L'unité magnétique (24) produit également une composante transversale du champ magnétique dans une région faisant un coude (26) entre la première section (34) et la seconde section (36) du chemin du faisceau d'électrons (22). La source d'électrons (20) comprend de préférence une cathode (42) en hexaborure de lanthane de grande surface ainsi qu'une grille d'extraction (44) positionnée très près de la cathode (42). L'appareil fournit un faisceau d'électrons de fort courant et de faible énergie (22) pour neutraliser l'accumulation de charges sur la pièce à usiner (14). |
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L'appareil comprend une source d'électrons (20) qui génère un faisceau d'électrons (22), et une unité magnétique (24) qui génère un champ magnétique de guidage du faisceau d'électrons (22) sur la pièce à usiner (14). Le chemin (22) du faisceau d'électrons comprend de préférence une première section (34) entre la source d'électrons (20) et le faisceau d'ions (12) ainsi qu'une seconde section (36) qui coïncide avec le faisceau d'ions (12). L'unité magnétique (24) génère une composante axiale du champ magnétique le long du chemin du faisceau d'électrons (22). L'unité magnétique (24) produit également une composante transversale du champ magnétique dans une région faisant un coude (26) entre la première section (34) et la seconde section (36) du chemin du faisceau d'électrons (22). La source d'électrons (20) comprend de préférence une cathode (42) en hexaborure de lanthane de grande surface ainsi qu'une grille d'extraction (44) positionnée très près de la cathode (42). L'appareil fournit un faisceau d'électrons de fort courant et de faible énergie (22) pour neutraliser l'accumulation de charges sur la pièce à usiner (14).</description><language>eng ; fre ; ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><creationdate>1992</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19920603&DB=EPODOC&CC=EP&NR=0487656A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19920603&DB=EPODOC&CC=EP&NR=0487656A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>WILLIAMS, MALCOM, D</creatorcontrib><creatorcontrib>MCKENNA, CHARLES, M</creatorcontrib><creatorcontrib>LEUNG, KA-NGO</creatorcontrib><creatorcontrib>KUNKEL, WULF, B</creatorcontrib><title>CHARGE NEUTRALIZATION APPARATUS FOR ION IMPLANTATION SYSTEM</title><description>Procédé et appareil de neutralisation d'une pièce à usiner (14) telle qu'une tranche à semi-conducteur dans un système, selon lequel un faisceau d'ions positifs (12) est appliqué à la pièce à usiner (14). L'appareil comprend une source d'électrons (20) qui génère un faisceau d'électrons (22), et une unité magnétique (24) qui génère un champ magnétique de guidage du faisceau d'électrons (22) sur la pièce à usiner (14). Le chemin (22) du faisceau d'électrons comprend de préférence une première section (34) entre la source d'électrons (20) et le faisceau d'ions (12) ainsi qu'une seconde section (36) qui coïncide avec le faisceau d'ions (12). L'unité magnétique (24) génère une composante axiale du champ magnétique le long du chemin du faisceau d'électrons (22). L'unité magnétique (24) produit également une composante transversale du champ magnétique dans une région faisant un coude (26) entre la première section (34) et la seconde section (36) du chemin du faisceau d'électrons (22). La source d'électrons (20) comprend de préférence une cathode (42) en hexaborure de lanthane de grande surface ainsi qu'une grille d'extraction (44) positionnée très près de la cathode (42). 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L'appareil comprend une source d'électrons (20) qui génère un faisceau d'électrons (22), et une unité magnétique (24) qui génère un champ magnétique de guidage du faisceau d'électrons (22) sur la pièce à usiner (14). Le chemin (22) du faisceau d'électrons comprend de préférence une première section (34) entre la source d'électrons (20) et le faisceau d'ions (12) ainsi qu'une seconde section (36) qui coïncide avec le faisceau d'ions (12). L'unité magnétique (24) génère une composante axiale du champ magnétique le long du chemin du faisceau d'électrons (22). L'unité magnétique (24) produit également une composante transversale du champ magnétique dans une région faisant un coude (26) entre la première section (34) et la seconde section (36) du chemin du faisceau d'électrons (22). La source d'électrons (20) comprend de préférence une cathode (42) en hexaborure de lanthane de grande surface ainsi qu'une grille d'extraction (44) positionnée très près de la cathode (42). 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