Sensor for determining the gas concentration in a gas mixture by measuring the reaction heat
Die Beschreibung betrifft einen Sensor zur Bestimmung der Gaskonzentration in einem Gasgemisch durch Messung der Wärmetönung bei der Oxydation brennbarer Gase. Der Sensor besteht aus Dünnfilmwiderständen (3a, 3b), die auf einer elektrisch und thermisch isolierenden Schicht (2a) aufgetragen sind. Ein...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre ; ger |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
container_end_page | |
---|---|
container_issue | |
container_start_page | |
container_title | |
container_volume | |
creator | HORN, BERTOLD MOEDE, MICHAEL LIEDTKE, THOMAS |
description | Die Beschreibung betrifft einen Sensor zur Bestimmung der Gaskonzentration in einem Gasgemisch durch Messung der Wärmetönung bei der Oxydation brennbarer Gase. Der Sensor besteht aus Dünnfilmwiderständen (3a, 3b), die auf einer elektrisch und thermisch isolierenden Schicht (2a) aufgetragen sind. Eine Trägerplatte (1) aus Silizium ist im Bereich der Dünnfilmwiderstände durch Ätzen freitragend ausgebildet, so daß diese von der Trägerplatte (1) isoliert sind (Fig. 1).
A sensor is described for determining the gas concentration in a gas mixture by measuring the reaction heat in the oxidation of combustible gases. The sensor consists of thin-film resistors (3a, 3b) which are applied to an electrically and thermally insulating layer (2a). A silicon baseplate (1) of self-supporting construction is formed by etching in the vicinity of the thin-film resistors so that they are insulated from the baseplate (1) (Figure 1). |
format | Patent |
fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_EP0377792A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>EP0377792A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_EP0377792A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNqNjLEKwkAQRK-xEPUf9gcENcVhKSFiKWgphPWcJAfeXrjbgP69IWhvMTwY3szc3C6QHBM1Yx5QpODFS0vagVrO5KI4iCZWH4W8EE918C8dEuj-pgDOQ_ptEthNagfWpZk1_MxYfbkwdKyu5WmNPtbIPY_X0Lo6bwpr7X532BZ_KB8wgDta</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>Sensor for determining the gas concentration in a gas mixture by measuring the reaction heat</title><source>esp@cenet</source><creator>HORN, BERTOLD ; MOEDE, MICHAEL ; LIEDTKE, THOMAS</creator><creatorcontrib>HORN, BERTOLD ; MOEDE, MICHAEL ; LIEDTKE, THOMAS</creatorcontrib><description>Die Beschreibung betrifft einen Sensor zur Bestimmung der Gaskonzentration in einem Gasgemisch durch Messung der Wärmetönung bei der Oxydation brennbarer Gase. Der Sensor besteht aus Dünnfilmwiderständen (3a, 3b), die auf einer elektrisch und thermisch isolierenden Schicht (2a) aufgetragen sind. Eine Trägerplatte (1) aus Silizium ist im Bereich der Dünnfilmwiderstände durch Ätzen freitragend ausgebildet, so daß diese von der Trägerplatte (1) isoliert sind (Fig. 1).
A sensor is described for determining the gas concentration in a gas mixture by measuring the reaction heat in the oxidation of combustible gases. The sensor consists of thin-film resistors (3a, 3b) which are applied to an electrically and thermally insulating layer (2a). A silicon baseplate (1) of self-supporting construction is formed by etching in the vicinity of the thin-film resistors so that they are insulated from the baseplate (1) (Figure 1).</description><language>eng ; fre ; ger</language><subject>INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES ; MEASURING ; PHYSICS ; TESTING</subject><creationdate>1990</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19900718&DB=EPODOC&CC=EP&NR=0377792A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,777,882,25545,76296</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19900718&DB=EPODOC&CC=EP&NR=0377792A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>HORN, BERTOLD</creatorcontrib><creatorcontrib>MOEDE, MICHAEL</creatorcontrib><creatorcontrib>LIEDTKE, THOMAS</creatorcontrib><title>Sensor for determining the gas concentration in a gas mixture by measuring the reaction heat</title><description>Die Beschreibung betrifft einen Sensor zur Bestimmung der Gaskonzentration in einem Gasgemisch durch Messung der Wärmetönung bei der Oxydation brennbarer Gase. Der Sensor besteht aus Dünnfilmwiderständen (3a, 3b), die auf einer elektrisch und thermisch isolierenden Schicht (2a) aufgetragen sind. Eine Trägerplatte (1) aus Silizium ist im Bereich der Dünnfilmwiderstände durch Ätzen freitragend ausgebildet, so daß diese von der Trägerplatte (1) isoliert sind (Fig. 1).
A sensor is described for determining the gas concentration in a gas mixture by measuring the reaction heat in the oxidation of combustible gases. The sensor consists of thin-film resistors (3a, 3b) which are applied to an electrically and thermally insulating layer (2a). A silicon baseplate (1) of self-supporting construction is formed by etching in the vicinity of the thin-film resistors so that they are insulated from the baseplate (1) (Figure 1).</description><subject>INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES</subject><subject>MEASURING</subject><subject>PHYSICS</subject><subject>TESTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>1990</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNjLEKwkAQRK-xEPUf9gcENcVhKSFiKWgphPWcJAfeXrjbgP69IWhvMTwY3szc3C6QHBM1Yx5QpODFS0vagVrO5KI4iCZWH4W8EE918C8dEuj-pgDOQ_ptEthNagfWpZk1_MxYfbkwdKyu5WmNPtbIPY_X0Lo6bwpr7X532BZ_KB8wgDta</recordid><startdate>19900718</startdate><enddate>19900718</enddate><creator>HORN, BERTOLD</creator><creator>MOEDE, MICHAEL</creator><creator>LIEDTKE, THOMAS</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>19900718</creationdate><title>Sensor for determining the gas concentration in a gas mixture by measuring the reaction heat</title><author>HORN, BERTOLD ; MOEDE, MICHAEL ; LIEDTKE, THOMAS</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_EP0377792A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; ger</language><creationdate>1990</creationdate><topic>INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES</topic><topic>MEASURING</topic><topic>PHYSICS</topic><topic>TESTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>HORN, BERTOLD</creatorcontrib><creatorcontrib>MOEDE, MICHAEL</creatorcontrib><creatorcontrib>LIEDTKE, THOMAS</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>HORN, BERTOLD</au><au>MOEDE, MICHAEL</au><au>LIEDTKE, THOMAS</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Sensor for determining the gas concentration in a gas mixture by measuring the reaction heat</title><date>1990-07-18</date><risdate>1990</risdate><abstract>Die Beschreibung betrifft einen Sensor zur Bestimmung der Gaskonzentration in einem Gasgemisch durch Messung der Wärmetönung bei der Oxydation brennbarer Gase. Der Sensor besteht aus Dünnfilmwiderständen (3a, 3b), die auf einer elektrisch und thermisch isolierenden Schicht (2a) aufgetragen sind. Eine Trägerplatte (1) aus Silizium ist im Bereich der Dünnfilmwiderstände durch Ätzen freitragend ausgebildet, so daß diese von der Trägerplatte (1) isoliert sind (Fig. 1).
A sensor is described for determining the gas concentration in a gas mixture by measuring the reaction heat in the oxidation of combustible gases. The sensor consists of thin-film resistors (3a, 3b) which are applied to an electrically and thermally insulating layer (2a). A silicon baseplate (1) of self-supporting construction is formed by etching in the vicinity of the thin-film resistors so that they are insulated from the baseplate (1) (Figure 1).</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
fulltext | fulltext_linktorsrc |
identifier | |
ispartof | |
issn | |
language | eng ; fre ; ger |
recordid | cdi_epo_espacenet_EP0377792A1 |
source | esp@cenet |
subjects | INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES MEASURING PHYSICS TESTING |
title | Sensor for determining the gas concentration in a gas mixture by measuring the reaction heat |
url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-19T23%3A10%3A51IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=HORN,%20BERTOLD&rft.date=1990-07-18&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EEP0377792A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |