SCHOTTKY DIODE MANUFACTURE METHOD

The invention is related to semiconductor devices manufacture technology, in particular, to a method of making chips of powerful Schottky diodes, and can be used, e.g., for production of AC rectifiers for products of power electronics. The present invention is based on the task of reduction of reverse current in a Schottky diode and a decrease in specific rhenium consumption. The essence of the invention is that in a Schottky diode manufacture method including formation, in a highly-doped silicon substrate of n-type conductivity with a lightly doped epitaxial layer of the same conductivity type, of a guard ring of p-type conductivity forming a p-n junction, formation of silicon oxide, opening a window in the silicon oxide, formation a 0.005-0.5 μm recess in the window, formation of a Schottky diode barrier layer and a contact electrode, the Schottky diode barrier layer is formed from rhenium having a thickness of 5.0 to 15.0 nm, and before formation of the contact electrode, a 100 to 300 nm molybdenum layer is formed. Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, а более конкретно к способу изготовления кристаллов мощных диодов Шоттки, и может быть использовано, например, для изготовления выпрямителей переменного тока для изделий силовой электроники. В основу настоящего изобретения положена задача снижения обратного тока диода Шоттки и уменьшения удельного расхода рения. Сущность изобретения заключается в том, что в способе изготовления диода Шоттки, включающем формирование в сильнолегированной кремниевой подложке n-типа проводимости со слаболегированным эпитаксиальным слоем того же типа проводимости охранного кольца р-типа проводимости, образующего р-n переход, формирование окисла кремния, вскрытие в окисле кремния окна, формирование в окне углубления величиной 0,05-0,5 мкм, формирование барьерного слоя электрода Шоттки, контактного электрода; барьерный слой электрода Шоттки формируют из рения толщиной от 5,0 до 15,0 нм, а перед формированием контактного электрода формируют слой молибдена толщиной от 100 до 300 нм.