FELTEFFEKTTRANSISTORER I TYNDFILM VED BRUG AF EN POLYNICTIDHALVLEDER

A thin film transistor characterised in that it comprises, as a switched semiconductor portion thereof, a thin film comprising MPx wherein M represents at least one alkali metal; P represents at least one pnictide; and x ranges from 15 to infinity is disclosed. A process for the production of a tran...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: SCHACHTER ROZALIE, BUNZ LEWIS ANDREW, VISCOGLIOSI MARCELLO
Format: Patent
Sprache:dan
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