DRAM mit gegen Diaphonie abgeschirmten Bitleitungen
This invention relates to semiconductor memories and includes a sense amplifier architecture in which sensed data bit lines (e.g. BL2, BL2 min ) are electrically isolated and shielded from their immediately adjacent active neighbors by utilization of non-selected bit lines (e.g. BL1, BL1 min and/or...
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
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